孙捷
- 作品数：43 被引量：23H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中山市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法
- 一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法，属于纳米机电系统制备领域。在绝缘衬底上生长一层支撑体，然后图案化处理，生长一层金属催化剂层，进行图案化处理，形成支撑体‐金属催化剂‐支撑体阵列结构；支撑体和金属催化剂层的...
- 孙捷邓世桂郭伟玲黄旸
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- 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器
- 应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接...
- 徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭解意洋荀孟
- 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
- 基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退...
- 徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭毛明明解意洋郑雷
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- 一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法
- 一种在非金属衬底上直接生长石墨烯的方法，属于半导体材料生长技术领域。目前在非金属衬底上进行石墨烯的生长需要先将石墨烯生长在金属衬底上，再通过转移的方法将其转移到目标衬底上。这种方法关键的缺陷是转移过程中的非理想因素，即石...
- 孙捷樊星许坤郭伟玲徐晨邓军
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- 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法
- 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长...
- 孙捷樊星许坤郭伟玲徐晨邓军
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- 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法
- 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温...
- 孙捷徐晨董毅博解意洋荀孟潘冠中王秋华
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- 高压LED芯片的研究进展被引量：3
- 2018年
- 高压发光二极管(high-voltage light-emitting diode)具有工作电压高、驱动电流小的特点,还有封装成本低、暖白光效高、高可靠性驱动、线路损耗低等优点,这使其得到了广泛的研究与应用。首先介绍了高压LED的基本原理,分类与结构;然后,着重从优化器件光电特性的角度,阐述了高压LED关键制备工艺的最新研究进展;并从失效机制和热特性方面阐述了高压LED的可靠性问题;最后,展望其发展与应用前景。
- 王嘉露郭伟玲李松宇杨新孙捷
- 关键词：可靠性
- NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法
- 本发明公开了NP电极共平面倒装Micro‑LED微显示阵列及制作方法，包括电致发光阵列、倒装结合层、阵列倒装基板；电致发光阵列包括：像素单元、像素单元隔离槽、衬底；像素单元包括：N型半导体、有源区、P型半导体、绝缘层、N...
- 郭伟玲邰建鹏申栗繁孙捷
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- AlGaN/GaN SBD的正向导通特性研究被引量：1
- 2015年
- 主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlGaN/GaN SBD器件。测量结果表明,通过适当改变肖特基-欧姆电极布局,以及在导电衬底上施加相应的偏压,可以有效改善器件的正向导通特性。实验所制备的肖特基电极半径为120μm、肖特基-欧姆电极间距为25μm的基于Al2O3衬底的AlGaN/GaN SBD器件,实现了正向导通电流0.05A@2V(Ron=9.13mΩ·cm2)、反向饱和漏电流为10-6 A的性能。对制备的硅基AlGaN/GaN SBD器件的测试发现,通过外加衬底偏压能够有效改善其正向导通特性。
- 孙晓郭伟玲徐儒朱彦旭孙捷陈艳芳李松宇邹德恕
- 关键词：肖特基势垒二极管
- 一种薄膜平面化的半导体工艺
- 一种薄膜平面化的半导体工艺，在现有的利用石墨烯薄膜来制作半导体工艺中，常常会遇到薄膜受损严重的情况。本发明将光刻与溅射工艺相结合，并利用感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma，ICP)...
- 徐晨刘奇孙捷许坤
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