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解意洋

作品数：87 被引量：27H指数：4
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 73篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 28篇激光
  • 27篇激光器
  • 26篇面发射
  • 19篇发射激光器
  • 18篇石墨
  • 18篇石墨烯
  • 17篇晶体
  • 17篇光子
  • 17篇光子晶体
  • 16篇面发射激光器
  • 15篇腔面
  • 15篇金属
  • 15篇垂直腔
  • 15篇垂直腔面
  • 15篇垂直腔面发射
  • 13篇半导体
  • 11篇光束
  • 10篇半导体激光
  • 9篇电极
  • 8篇芯片

机构

  • 81篇北京工业大学
  • 8篇中国科学院
  • 1篇教育部
  • 1篇郑州航空工业...
  • 1篇中央民族大学
  • 1篇国家知识产权...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 87篇解意洋
  • 73篇徐晨
  • 29篇潘冠中
  • 28篇王秋华
  • 14篇邓军
  • 13篇孙捷
  • 13篇阚强
  • 13篇陈弘达
  • 12篇王春霞
  • 11篇沈光地
  • 9篇王宝强
  • 9篇刘英明
  • 9篇安亚宁
  • 8篇许坤
  • 7篇朱彦旭
  • 7篇毛明明
  • 5篇赵振波
  • 5篇刘发
  • 5篇周康
  • 5篇蒋国庆

传媒

  • 3篇红外与激光工...
  • 3篇物理学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 5篇2024
  • 11篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 9篇2019
  • 8篇2018
  • 3篇2017
  • 10篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 6篇2012
  • 6篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
共 87 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种优化光子晶体面发射激光器方法
一种优化光子晶体面发射激光器方法属于半导体光电子技术领域。所述方法在氧化限制型面发射激光器和二维光子晶体横向耦合基础的上将氧化孔径与光子晶体缺陷孔径纵向匹配耦合。通过优化氧化孔径和光子晶体缺陷孔径的关系，制备氧化孔径比光...
徐晨解意洋朱彦旭邓军毛明明魏思民曹田阚强王春霞陈弘达
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一种非破坏性垂直腔面发射激光器电流限制孔径测定装置
本实用新型公开了一种非破坏性垂直腔面发射激光器电流限制孔径测定装置，该改装置由探针台，直流电源，显微镜，光学衰减片，CCD探测器和计算机组成。本实用新型利用激光器激射前的荧光光斑的形状来测定电流限制孔径的形状大小，可测量...
徐晨周康解意洋赵振波刘发沈光地
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多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器
本发明属于光电子领域，是多孔缺陷匹配型光子晶体面发射激光器。依次包括有在衬底上依次生长下DBR，有源区，氧化限制层，上DBR和P型欧姆接触层，氧化限制层设有氧化孔；其特征在于：在上DBR和P型欧姆接触层中刻蚀出光子晶体空...
徐晨解意洋邓军朱彦旭魏思民毛明明曹田阚强王春霞陈弘达
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一种多量子阱结构共振隧穿铁电隧道结
一种多量子阱结构共振隧穿铁电隧道结属于微电子与集成电路存储器技术领域。本发明从上到下叠层结构依次为：上电极(1)、铁电势垒层(2)、多量子阱层(3)及下电极(4)；其中，多量子阱层(3)包括第一量子阱(31)、第二量子阱...
常鹏鹰李杰郭义蓉苏金宝张欢包蕾解意洋
外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同...
沈光地徐晨解意洋陈弘达阚强王春霞刘英明王宝强
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外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器
本发明公开了外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器，包括P型金属电极层、钝化层、周期交替生长的上分布式布拉格反射镜、高铝组分的氧化限制层、有源区、周期生长的下分布式布拉格反射镜、GaAs衬底层、N型金属电极层、电流限制氧化...
徐晨吴博解意洋傅攀赵旭鹏
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表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法
本发明提供一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法，其中表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，包括：一硅衬底，该硅衬底上部分形成硅纳米线阵列结构；多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒不规则地散布在硅纳米线...
陈弘达王真真解意洋耿照新
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基于相位检测的表面等离子体共振传感装置
本发明公开了一种基于相位检测的表面等离子体共振传感装置，包括激光光源、光纤、准直器、起偏器、传感部件、分光器、反光镜、光栅光谱仪以及计算机；其中，激光光源发出的水平方向的光经过光纤传输及准直器准直后由起偏器起偏，得到p偏...
陈弘达李俊华阚强王春霞苏保青解意洋王真真
应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器
应用石墨烯的高探测率氮化镓基肖特基型紫外探测器，其基本结构从下往上依次为重掺杂n型氮化镓、轻掺杂n型氮化镓、二氧化硅绝缘层、金属电极、石墨烯薄膜。金属电极拥有透明、导电的性质，并且拥有半金属性。在和轻掺杂n型GaN直接接...
徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭解意洋荀孟
基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法
基于石墨烯薄膜的透明电极的制备方法，在石墨烯薄层与器件表面之间插入ITO纳米薄层；包括以下步骤：将GaN基LED外延片（208）进行清洗；在p-GaN层（203）上制作第一纳米ITO薄层（202），厚度为7-10nm；退...
徐晨许坤孙捷邓军朱彦旭毛明明解意洋郑雷
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