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徐步衡

作品数:6 被引量:31H指数:3
供职机构:南开大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇电池
  • 3篇太阳电池
  • 3篇MOCVD
  • 2篇电极
  • 2篇薄膜太阳电池
  • 2篇背电极
  • 1篇单片
  • 1篇单片计算机
  • 1篇电机
  • 1篇电路
  • 1篇电源
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇乙基
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇直流电源
  • 1篇随机存储器
  • 1篇驱动电路
  • 1篇驱动电路设计
  • 1篇转换器

机构

  • 6篇南开大学
  • 1篇天津机电职业...

作者

  • 6篇徐步衡
  • 3篇马海英
  • 2篇张晓丹
  • 2篇薛俊明
  • 2篇赵颖
  • 2篇耿新华
  • 1篇熊绍珍
  • 1篇刘芳芳
  • 1篇孟志国
  • 1篇魏长春
  • 1篇侯国付
  • 1篇张丽珠
  • 1篇任慧志
  • 1篇张德坤
  • 1篇何青
  • 1篇吴春亚
  • 1篇孙建
  • 1篇陈新亮

传媒

  • 2篇影视技术
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇现代显示

年份

  • 5篇2005
  • 1篇2004
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究被引量:23
2005年
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。
徐步衡薛俊明赵颖张晓丹魏长春孙建刘芳芳何青侯国付任慧志张德坤耿新华
关键词:薄膜太阳电池MOCVD金属有机物化学气相沉积二乙基锌衬底温度MOL
MOCVD氧化锌薄膜及其硅薄膜电池背极应用研究
利用氧化锌背电极,可以增大电池短路电流,提高电池的转化效率,而且可以进一步减薄I层,改善电池的稳定性。通过对多种生长ZNO薄膜材料的方法进行比较,我们发现MOCVD方法在薄膜材料的生长方面有很多优点,特别是其生长薄膜过程...
徐步衡
关键词:氧化锌薄膜背电极硅基薄膜太阳电池光电转换效率
文献传递网络资源链接
单片计算机在电影自动放映中的应用
2004年
徐步衡马海英徐邦信刘文国
关键词:I/O口随机存储器E^2PROM看门狗单片计算机A/D转换器
自复保险用于放映机切光器保护
2005年
徐步衡马海英徐邦信屈宝华刘文国
关键词:保护电路直流电源放映机控制电路电机
MOCVD制备的ZnO薄膜及其在太阳电池背电极应用被引量:6
2005年
研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响.对XRD和SEM的研究结果表明,B掺杂对ZnO薄膜的微观结构有重大影响.通过优化工艺,当B2H6流量为17sccm(约1%掺杂浓度)时,在20cm×20cm大面积衬底上生长出厚度为700nm,方块电阻为38Ω/□,透过率大于85%,迁移率为17.8cm2/(V·s)的绒面结构ZnO薄膜.其应用于太阳电池背反射电池后,可使电池短路电流提高将近3mA,使20cm×20cm面积的aSi集成电池效率高达9.09%.
陈新亮徐步衡薛俊明赵颖张晓丹耿新华
关键词:MOCVDZNO薄膜B掺杂背电极太阳电池
基于FPGA的多模式显示驱动电路设计被引量:3
2005年
为了适应输入、输出显示信号的多样化,扩大显示屏的实用性,本文提出了一种基于FPGA的多模式显示驱动电路设计方案。利用FPGA对输入信号进行转换,同时嵌入自行设计的I2C总线模块,实现了兼容接收VGA、DVI和多种电视信号,并可以支持多种显示屏的显示。
马海英徐步衡吴春亚孟志国熊绍珍张丽珠
关键词:FPGA显示驱动电路I^2C总线
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