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汪宁

作品数：50 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇减薄
  • 12篇衬底
  • 11篇抛光
  • 8篇研磨工艺
  • 8篇磨工
  • 8篇晶圆
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 8篇光刻
  • 8篇光刻胶
  • 7篇金属
  • 6篇晶片
  • 6篇晶体管
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 6篇半导体
  • 5篇电路
  • 5篇刻蚀
  • 5篇集成电路
  • 5篇硅衬底

机构

  • 50篇中国科学院微...
  • 2篇四川大学

作者

  • 50篇汪宁
  • 22篇刘新宇
  • 19篇陈晓娟
  • 18篇庞磊
  • 18篇罗卫军
  • 11篇金智
  • 10篇苏永波
  • 7篇王大海
  • 5篇王鑫华
  • 5篇刘训春
  • 4篇陈中子
  • 4篇郑英奎
  • 4篇王显泰
  • 4篇罗明雄
  • 3篇石瑞英
  • 3篇王润梅
  • 3篇丁芃
  • 3篇黄森
  • 2篇陈震
  • 2篇张海英

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 10篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2004
  • 2篇2003
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能
2004年
在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频率高达 81 GHz,且集电极电流密度为 7× 1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应 .它的高频和直流特性均比发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高 。
石瑞英孙海峰刘训春袁志鹏罗明雄汪宁
关键词：自对准工艺
一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛...
汪宁陈中子陈晓娟刘新宇罗卫军庞磊
一种去除高熔点黏附剂的方法
本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环...
汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇
文献传递
一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层...
汪宁王显泰苏永波郭建楠金智
文献传递
一种去除高熔点黏附剂的方法
本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环...
汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇
一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛...
汪宁陈中子陈晓娟刘新宇罗卫军庞磊
文献传递
一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层...
汪宁王显泰苏永波郭建楠金智
不同平面掺杂结构对PHEMT器件性能的影响
研制比较了Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,...
汪宁陈震郑英奎刘新宇和致经
关键词：晶体管线性度PHEMT器件
文献传递
一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法
本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜...
汪宁苏永波丁芃王大海金智
文献传递
一种半导体器件及其制作方法
本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂...
汪宁苏永波丁芃王大海金智
文献传递
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