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文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇多层膜
  • 1篇氧化锌
  • 1篇光谱
  • 1篇光学
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇PLD
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇大连理工大学

作者

  • 2篇霍炳至
  • 1篇孙景昌
  • 1篇刘维峰
  • 1篇张贺秋
  • 1篇赵子文
  • 1篇胡礼中
  • 1篇骆英民

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
脉冲激光沉积氧化锌及其相关多层膜的研究
ZnO是一种重要的宽带隙半导体氧化物材料。其较大的禁带宽度(3.37eV)和激子束缚能(60meV)以及较好的化学稳定性,使其成为制造光电子器件的理想材料。脉冲激光沉积系统是一种相对先进的薄膜生长设备,其优点之一是可以精...
霍炳至
关键词:脉冲激光沉积薄膜生长光致发光谱P型掺杂
衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响被引量:5
2007年
利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降。四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰。PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率。
赵子文胡礼中张贺秋孙景昌刘维峰骆英民霍炳至
关键词:ZNO薄膜脉冲激光沉积衬底温度
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