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骆英民

作品数:34 被引量:68H指数:5
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 14篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇建筑科学
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇发光
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇纳米
  • 6篇光电
  • 6篇掺杂
  • 5篇光学
  • 5篇衬底
  • 4篇纳米棒
  • 4篇金属
  • 4篇ZNO
  • 4篇ZNO纳米
  • 3篇水热
  • 3篇半导体
  • 3篇ZNO纳米棒
  • 2篇弹簧
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇导电特性
  • 2篇抵触
  • 2篇电特性

机构

  • 31篇大连理工大学
  • 5篇中国科学院
  • 3篇东北师范大学
  • 3篇辽宁师范大学
  • 2篇大连工业大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学
  • 1篇沈阳药科大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇奥克兰大学

作者

  • 34篇骆英民
  • 14篇边继明
  • 8篇胡礼中
  • 7篇梁红伟
  • 6篇张贺秋
  • 5篇孙景昌
  • 5篇杜国同
  • 3篇夏晓川
  • 3篇刘维峰
  • 3篇邱宇
  • 3篇赵佳明
  • 3篇柳阳
  • 2篇章俞之
  • 2篇徐海阳
  • 2篇李庆伟
  • 2篇张志坤
  • 2篇申人升
  • 2篇秦福文
  • 2篇赵宇
  • 2篇孙英岚

传媒

  • 4篇无机材料学报
  • 3篇发光学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇解放军理工大...
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2004
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LED发光棋
本实用新型公开了一种LED发光棋,棋盘(1)的盘座中设置有供电电源;在棋盘(1)的盘面上用于棋子落放的位置设置成凹槽(3);相应棋子的形状与凹槽的形状相配合;棋子中设置有LED灯,且棋子的侧边与底部分别设置与LED灯连接...
骆英民邱宇胡礼中
文献传递
MBE技术蓝宝石衬底上生长VO_2薄膜及其太赫兹和金属–绝缘体相变特性研究(英文)被引量:3
2017年
采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO_2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15~60 nm精确控制。对于优化条件下VO_2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属–绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO_2相变特性。特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO_2薄膜在太赫兹波段的光学特性。结果表明:VO_2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响。因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO_2薄膜的厚度必须得到精确控制。本研究结果对于下一步VO_2基太赫兹器件研究具有重要意义。
孙洪君王敏焕边继明苗丽华章俞之骆英民
关键词:二氧化钒薄膜太赫兹时域光谱分子束外延
电子束蒸发制备纳米氧化锌掺铝薄膜及其光电性质研究
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度高达3.3 eV.由于氧化锌具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光,因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料.自1...
骆英民
关键词:ZNO:AL薄膜光致发光
文献传递
氟掺杂的氧化锌薄膜的结构和光学特性被引量:2
2004年
通过热氧化氟化锌(ZnF2)薄膜的方法制备出氟掺杂的多晶ZnO薄膜,ZnF2薄膜是利用电子束蒸发方法沉积在Si(100)衬底得到的。利用X射线衍射和X射线电子能谱研究了ZnF2薄膜向ZnO的转变过程。实验结果表明,在400℃退火30min的条件下能够获得六方纤锌矿结构的ZnO∶F薄膜。对ZnO∶F薄膜的室温光致发光谱可以观察到位于379nm、半峰全宽为73meV的紫外发射峰,而相应于缺陷的深能级发射则完全猝灭。表明ZnO中残留的F能够有效地增强激子的发光,同时使缺陷发光强度明显降低。对F掺杂对ZnO的发光性能的影响进行了讨论。
马剑钢刘益春徐海阳骆英民张吉英吕有明申德振范希武
关键词:X射线衍射X射线光电子能谱光致发光
一种加装散热基板的LED检测装置
本实用新型属于LED技术领域,涉及一种加装散热基板的LED检测装置。包括底座、支脚、支杆、传动杆、电机、传动带、检测台、竖杆、支撑装置、固定板、液压动力装置、液压杆和测试探针。将待测的加装散热基板的LED放置在传动带上的...
骆英民
文献传递
一种智能跳高训练装置
本实用新型公开了一种智能跳高训练装置,属于体育器械技术领域。该智能跳高训练装置包括气垫、电动伸缩杆、挡板和控制装置,气垫的一个侧面设置有挡板,挡板两端均竖直设置有管套,管套内套接有电动伸缩杆,电动伸缩杆包括外杆和套接在外...
唐士敏骆英民
文献传递
一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件
本发明涉及一种石墨衬底上的氧化锌基MOS器件。其特征是在具有高导电、导热性能的石墨衬底材料表面上,采用射频磁控溅射方法,依次生长绝缘层(如:SiO<Sub>2</Sub>、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</S...
边继明张志坤秦福文刘维峰骆英民
文献传递
一种基于指纹识别的防作弊跳高测试装置
一种基于指纹识别的防作弊跳高测试装置,属于体育器械技术领域。防作弊跳高测试装置包括气垫、电动伸缩杆、挡板、指纹识别装置和控制装置,气垫的侧面上设置有挡板,挡板两端均竖直设置有管套,管套内套接有电动伸缩杆,两个电动伸缩杆的...
唐士敏骆英民
文献传递
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
2013年
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同
关键词:金属有机物化学气相沉积GAN发光二极管电子阻挡层超晶格
石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
2014年
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料,即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现在室温条件下,准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射,基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光,并且这种低维ZnO材料/石墨衬底复合结构在300~800nm光谱范围内具有较低的反射率。本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义。
张志坤章俞之边继明孙景昌秦福文刘维峰骆英民
关键词:ZNO光致发光
共4页<1234>
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