吕亚平
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：华中科技大学机械科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>
- 含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术被引量：4
- 2014年
- 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。
- 吕亚平刘孝刚陈明祥刘胜
- 关键词：CU
- 系统级封装多层堆叠键合技术研究
- 基于硅通孔（Through Silicon Via，TSV）的三维封装技术是第四代的封装技术，具有集成度高、互连距离短、信号传输速度快、信号干扰少等优点，是未来封装发展的主流方向。作为三维封装的关键技术之一，键合能实现层...
- 吕亚平
- 关键词：系统级封装铜锡合金
- 文献传递
- 一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
- 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长...
- 刘胜汪学方吕植成袁娇娇胡畅张学斌吕亚平
- 文献传递
- 用于三维封装的多层芯片键合对准技术
- 2015年
- 采用离心力使硅片直角边与模具凹槽直角边贴紧对准的思想,提出了一种用于三维系统封装的多芯片对准技术.基于该技术原理制作了对准装置,并实现了多芯片一次性对准键合(6层芯片).具体过程包括:加工带方形凹槽的模具;将芯片切割为形状一致的方形,并保证边缘整齐;将芯片置入凹槽并旋转模具,对准后停止旋转并夹紧固定堆叠芯片;将固定后的芯片转移至键合腔内实现键合,试验测试键合后对准误差为4μm.具体分析了影响多层芯片对准精度的因素,并提出了优化方案,论证了离心对准技术的可行性.
- 陈明祥吕亚平刘孝刚刘胜
- 关键词：键合三维封装
- 一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法
- 本发明公开了一种利用锡须生长制备一维纳米线的方法，在基片上沉积金属层，利用光刻工艺形成条纹状的纳米级金属细线；将金属细线的两端接电极，通电，促使金属层加速生长晶须得到一维纳米线。本发明能够有效控制纳米级细线的直径大小和长...
- 刘胜汪学方吕植成袁娇娇胡畅张学斌吕亚平
- 一种多芯片对准方法和装置
- 本发明提出了一种多芯片对准方法和装置，将方形芯片置于模具中，模具提供限制芯片移动的边界，通过离心力使芯片紧靠模具实现对准，最后夹紧转移。该装置包括底板和压板，压板的上表面连接吸盘，吸盘的中心开有第一通孔，第一通孔连接空心...
- 陈明祥吕亚平
- 文献传递
- 一种多芯片对准方法和装置
- 本发明提出了一种多芯片对准方法和装置，将方形芯片置于模具中，模具提供限制芯片移动的边界，通过离心力使芯片紧靠模具实现对准，最后夹紧转移。该装置包括底板和压板，压板的上表面连接吸盘，吸盘的中心开有第一通孔，第一通孔连接空心...
- 陈明祥吕亚平
- 用于3D封装的带TSV的超薄芯片新型制作方法被引量：4
- 2013年
- 提出了一种应用于3D封装的带有硅通孔(TSV)的超薄芯片的制作方法。具体方法为通过刻蚀对硅晶圆打孔和局部减薄,然后进行表面微加工,最后从硅晶圆上分离出超薄芯片。利用两种不同的工艺实现了TSV的制作和硅晶圆局部减薄,一种是利用深反应离子刻蚀(DRIE)依次打孔和背面减薄,另一种是先利用KOH溶液湿法腐蚀局部减薄,再利用DRIE刻蚀打孔。通过实验优化了KOH和异丙醇(IPA)的质量分数分别为40%和10%。这种方法的优点在于制作出的超薄芯片翘曲度相较于CMP减薄的小,而且两个表面都可以进行表面微加工,使集成度提高。利用这种方法已经在实验室制作出了厚50μm的带TSV的超薄芯片,表面粗糙度达到0.02μm,并无孔洞地电镀填满TSV,然后在两面都制作了凸点,在表面进行了光刻、溅射和剥离等表面微加工工艺。实验结果证实了该方法的可行性。
- 袁娇娇吕植成汪学方师帅吕亚平张学斌方靖
- 关键词：3D集成减薄湿法腐蚀
