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杨冠东

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇导体
  • 1篇镀膜机
  • 1篇真空镀膜
  • 1篇真空镀膜机
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇高温扩散
  • 1篇半导体
  • 1篇INP
  • 1篇MN掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇杨冠东
  • 1篇朱峰
  • 1篇李京波

年份

  • 1篇2011
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法
一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法,采用真空镀膜后热扩散工艺,具体包括以下步骤:步骤1:将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗,然后用去离子水反复冲洗5遍;步骤2:将衬底用氮气吹干,然后迅速置于真空镀膜机,并使之...
杨冠东朱峰李京波
文献传递
共1页<1>
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