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朱峰

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇半导体
  • 3篇掺杂
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶片
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇退火
  • 2篇洗剂
  • 2篇晶片
  • 2篇刻蚀
  • 2篇空穴
  • 2篇化物
  • 2篇半导体材料
  • 2篇镁
  • 2篇INAS
  • 1篇导体
  • 1篇电池

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇朱峰
  • 7篇李京波
  • 3篇纪攀峰
  • 1篇杨冠东

年份

  • 3篇2011
  • 4篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法
本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积了...
朱峰李京波
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮...
李京波纪攀峰朱峰
文献传递
一种多层LED芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种多层LED芯片结构及其制备方法。该结构包括：蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上低温外延生长的GaN缓冲层；在GaN缓冲层上高温外延生长的n型GaN；在n型GaN上高温外延生长的AlGaN层；在AlGaN层上生长的...
李京波朱峰纪攀峰
文献传递
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮...
李京波纪攀峰朱峰
制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法
一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法，采用真空镀膜后热扩散工艺，具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗，然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干，然后迅速置于真空镀膜机，并使之...
杨冠东朱峰李京波
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一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法
本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清洗剂将InAs单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积...
朱峰李京波
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一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法
本发明薄膜太阳能电池制备技术领域，公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净，并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层；步骤2：将清洗干净的浮法...
李京波朱峰
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