钱嘉裕
- 作品数：17 被引量：17H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：电子电信经济管理更多>>
- 砷化镓材料缺陷图谱
- 钱嘉裕王海涛吴巨王彤涵宋斌等
- 砷化镓器件和电路对发展新一代雷达、超高速电子计算机、电子对抗、卫星通信等起重要作用。砷化镓材料质量倍受关注，砷化镓晶体中的位错引起耿氏器件电击穿，影响MESFET器件的阈值电压均匀性，并使发光器件发光下均匀和寿命缩短；晶...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓晶体材料
- 砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景
- 随着信息技术的发展,化合物半导体材料在微电子和光电子学中发挥越来越重要的作用。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料正沿着大直径、高质量、低成本方向迅速发展。本文着重叙述了GaAs 单晶工艺技术现状,讨论了...
- 屠海令郑安生张峰翊邓志杰王永鸿钱嘉裕韩庆彬陈坚邦
- 关键词：晶体生长砷化镓
- 文献传递
- 蒸汽压控制直拉单晶生长装置
- 本实用新型公开了一种蒸汽压控制直拉单晶生长装置,属于半导体晶体生长设备技术领域。该装置包括单晶炉、加热装置、机械传动装置和气体调节装置,在单晶炉体中装有热密封容器,热密封容器由上、下容器体组成,上、下容器体之间装有密封连...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- 高温退火过程中As压对SI-GaAs化学配比的影响
- 同步Ｘ光荧光（ＳＸＲＦ）成分分析，定性地研究了在０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．７ａｔｍ（１ａｔｍ１０〈’５〉≈ＰａＡｓ压下１１５０℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明：控制Ａｓ压可以改变化学配比，在足够Ａｓ压下...
- 张峰翊屠海令王永鸿钱嘉裕
- 关键词：砷化镓半绝缘砷化镓退火
- 5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究
- 1998年
- 采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０１１－１０１２ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照只产生单空位缺陷，而１０１３ｎ／ｃｍ２注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷；１０１８ｎ／ｃｍ２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷。产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大。
- 王春瑞罗起苑志国李安利勾振辉勾振辉钱嘉裕朱升云
- 关键词：快中子正电子湮没砷化镓
- 降低GaAs红外激光窗口材料吸收系数新工艺被引量：2
- 1994年
- 降低ＧａＡｓ红外激光窗口材料吸收系数新工艺黎建明，王岩，钱嘉裕（北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心１０００８８）（一）前言在制备高度透明的高功率激光器透镜和窗口元件时，要求窗口材料和镀膜层的光吸收所引起的破裂损坏和光畸变很小。若要提高材料...
- 黎建明王岩钱嘉裕
- 关键词：砷化镓激光器
- 激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布
- 1998年
- 采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。
- 屠海令张峰翊王永鸿钱嘉裕马碧春
- 关键词：半绝缘砷化镓
- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态
- ＜正＞ GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在微电子学和光电子学方面的应用日益重要,尤其是发光二极管（LED）、激光二极管（LD）及微波高频器件,如异质双极晶体管（HBT）,高电子迁移率晶体管（HEMT）,单片微波集成电路...
- 郑安生钱嘉裕韩庆斌邓志杰
- 文献传递
- 坩埚杆动态热密封装置
- 本实用新型涉及一种晶体生长设备中的坩埚杆的动态热密封装置,属于半导体制作设备的技术领域。该坩埚杆动态热密封装置主要由密封室及密封环构成,密封室内带有环形凹槽,底部带有用于坩埚杆穿过的中心孔,密封环带有凹槽,密封环与密封室...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响被引量：1
- 2003年
- 用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响 .结果表明 :在高温退火条件下 ,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力 ,致使该区域范性形变 ,从而产生高密度的位错 .GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动 ,聚集后可形成小角晶界 。
- 黎建明屠海令胡广勇王超群郑安生钱嘉裕
- 关键词：GAAS退火
