丘思畴
- 作品数：23 被引量：105H指数：6
- 供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 反应溅射制备NiO_x薄膜及其电致变色特性被引量：1
- 1997年
- 在适当氧压下二极管式反应溅射镍靶制备NiOx薄膜，该薄膜无需长时间活化而直接在液体电解质KOH－H2O与LiClO4－PC中均有稳定的电色性和牢固性，XPS分析表明，O1s具有两种结合能状态对应于Ni2＋和Ni3＋。
- 吴正华丘思畴黄汉尧何华辉
- 关键词：反应溅射KOH色性结合能
- 直流溅射法制备电致变色WO_3膜被引量：8
- 1994年
- 采用ＷＯ３陶瓷靶直流溅射制作了电致变色膜．介绍了制膜工艺．分析测试表明，膜有无定形结构；除有正常成分ＷＯ３外，还含有来自衬底及反应室内的微量杂质．电致变色谱响应特性和电化学特性的测量证明，膜的电色活性良好．还对实验结果作了理论分析．
- 丘思畴黄汉尧舒兴胜徐彦忠
- 关键词：电致变色氧化钨
- 碳化硅陶瓷热敏电阻的导电机理
- 1992年
- 利用聚碳硅烷与碳化硅粉混合,采用陶瓷工艺,低温烧成了碳化硅热敏电阻,其lnR-1/T关系具有鲜明的两段线性区.借助两相结构(α-SiC粉被聚碳硅烷热解得到的β-SiC所包围)的电流输运通道模型,用能带理论,计算了一个微导电单元的电导,从而对阻-温特性中反映的两种激活能的本质作出了解释.
- 丘思畴黄汉尧徐彦忠丘沐钦
- 关键词：热敏电阻器碳化硅导电机理
- 直流溅射电致变色NiO_xH_y膜的研究被引量：1
- 1996年
- 采用直流溅射Ｎｉ（ＯＨ）２粉末压实靶制作了电致变色膜．介绍了制膜工艺，用ＸＲＤ谱研究了着色前、后膜的结构，ＸＰＳ谱研究Ｎｉ、Ｏ的结合．谱响应特性和电化学特性表明，膜的电色活性良好．
- 丘思畴戴进吴正华黄汉尧
- 关键词：电致变色
- NiO_xH_y薄膜的电致变色特性和机理被引量：6
- 1996年
- 运用循环伏安和阶跃电位方法研究了Ni（OH）2粉末靶直流溅射沉积的NiOxHy薄膜电致变色特性．结合实时的光透射-时间变化，发现着色后的薄膜在零外电势下有一自发的消色过程，该过程可能对应着Li+的自发注入。着色没有自发过程，获取了着消色状态Ni2p3／2和O1s的XPS谱，表明在着色态镍被氧化，消色态镍被还原，相应地氧的化学环境发生改变．
- 吴正华丘思畴黄汉尧何华辉
- 关键词：氧化镍电致变色循环伏安法
- 电子束蒸发WO_3气敏薄膜被引量：10
- 1998年
- 介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的后退火等工艺，着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。
- 丘思畴陈涛吴正华黄汉尧
- 关键词：电子束蒸发气敏元件半导体器件
- 热处理WO_3电变色膜稳定性研究被引量：6
- 1996年
- 采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li+电解质中进行比较性着色和消色循环实验，表明在290℃以下热退火处理能明显增加WO3薄膜在含水电解质中的循环寿命。而在无水电解中其电色性能并未受到损害。热处理膜在无水电解质中的消色速度随循环次数增加而变快。对实验结果给出了定性解释。
- 吴正华丘思畴黄汉尧何华辉
- 关键词：电致变色稳定性
- 电子束蒸发 WO_3-基气敏薄膜特性的研究被引量：5
- 1998年
- 介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果．着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程．
- 丘思畴陈涛吴正华黄汉尧
- 关键词：气敏元件电子束蒸发氧化钨半导体
- 直流溅射法制备电致变色NiO_x膜被引量：9
- 1994年
- 材料在外电场或电流的作用下,发生可逆的色彩变化叫电致变色(Electrochromic)现象.电致变色材料在大面积显示、调光囱户(Smart window)以及信息的(彩色的和连续的)贮存等领域,有很好的应用前景.目前研究的重点是若干过渡金属氧化物及其水合物的电化学变色性(Electrochemichromism),其工作模式是:将这些材料制成覆盖在导电(透明)衬底上的薄膜,并成为电池的一个电极,给电极施加电压后,薄膜两侧同时分别注入(或抽取)
- 丘思畴戴进黄汉尧徐彦忠
- 关键词：电致变色氧化镍
- 电致变色材料及应用被引量：36
- 1994年
- 电致变色材料在大面积信息显示、无功耗贮存及灵巧调光窗口的应用领域，具有良好的前景。本文介绍了电致变色现象及其特点，并对变色机理、材料与器件的制备，以及应用等方面的研究状况作了评述。
- 丘思畴黄汉尧舒兴胜
- 关键词：电致变色材料
