陈涛
- 作品数：19 被引量：60H指数：5
- 供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
- PECVD多晶硅膜的计算机模拟
- 1993年
- 在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析.结果表明,射频功率和反应室气压是影响PECVD淀积速率分布的两个主要因素,且两者受p=kW线性关系的制约,即对于一定的射频功率,总可选择一合适的反应室气压,使淀积速率分布最佳.实验结果与理论分析相吻合.
- 徐静平余岳辉陈涛彭昭廉
- 关键词：半导体多晶硅膜PECVD计算机模拟
- 过压自保护晶闸管二维电场分析
- 1993年
- 应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P^-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p^+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.
- 陈涛余岳辉彭昭廉徐静平
- 关键词：光控晶闸管电场
- 电子束蒸发WO_3气敏薄膜被引量：10
- 1998年
- 介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的后退火等工艺，着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。
- 丘思畴陈涛吴正华黄汉尧
- 关键词：电子束蒸发气敏元件半导体器件
- 常压化学气相淀积多晶硅的计算机模拟
- 1994年
- 推导出常压化学气相淀积多晶硅膜的计算机模拟算式，并进行了计算机模拟计算。在理论计算的基础上，用硅烷热分解，制备了均匀性较好的用于可控硅元件欧姆接触的多晶硅膜。
- 彭昭廉余岳辉陈涛徐静平
- 关键词：化学气相淀积计算机模拟多晶硅
- 全文增补中
- 电子束蒸发 WO_3-基气敏薄膜特性的研究被引量：5
- 1998年
- 介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜、溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果．着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程．
- 丘思畴陈涛吴正华黄汉尧
- 关键词：气敏元件电子束蒸发氧化钨半导体
- 薄发射区晶闸管结构及特性的研究被引量：2
- 1993年
- 在晶闸管的pin二极管模型基础上,提出了薄发射区晶闸管新结构.分析了P发射区杂质总量Q_E对晶闸管通态压降V_T的影响,导出了Q_E与V_T的关系式.分析计算表明,对一确定的宽度W_B和厚度W_P,在某一Q_E下有V_T极小值点存在;当W_P小于等于0.1μm时,随着Q_E的减小,V_T单调下降并趋于一几乎不变的值;当Q_E大于某一值时,V_T与W_P无关,而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加.实验结果还表明,用LPCVD原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品,与普通晶闸管相比,有较好的速度特性.
- 余岳辉徐静平陈涛彭昭廉
- 关键词：晶闸管通态特性
- 多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析
- 1992年
- 本文通过建立发射区两区模型,对多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性的机理进行了分析,结果表明:基区注入的少子在多晶硅区运动受障碍导致等效薄发射极晶体管的电流增益提高;多晶硅膜的少子迁移率和寿命是提高电流增益的两个关键参数.管芯测试结果亦表明,由于多晶硅膜的作用,薄发射区晶闸管的开通特性并未因发射区很薄而受影响.
- 徐静平余岳辉彭绍廉陈涛
- 关键词：晶闸管多晶硅膜开通特性
- 多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究
- 1995年
- 提出了制备新型多晶硅接触薄发射极晶闸管薄发射极欧姆电极的新结构──Ａｌ／Ｔｉ／Ｐｏｌｙｓｉ。结构。通过实验研究和对Ａｌ－Ｔｉ－Ｓｉ系统反应动力学的分析，解决了此结构的关键问题──Ｔｉ层厚度的确定方法及其制备工艺条件；对此结构的有效性和质量，即浅结的完整性以及欧姆接触电阻的大小进行了实验检查。采用此结构，已成功地制备出低损耗、快速薄发射极晶闸管管芯样品。
- 徐静平余岳辉彭昭廉陈涛
- 关键词：欧姆接触电极多晶硅晶闸管
- DRNI型磁盘表面粗糙度非接触测量仪
- 1992年
- 本文论述了研制成的一种用于计算机硬盘盘片等超精密表面粗糙度非接触测量的智能化仪器;提出了基于外差干涉原理的平行双光束设计方案,简述了该测量仪结构、光学系统、驱动控制系统、光电转换系统、数据处理系统及精密定位系统;给出了表面粗糙度多刻线标准样板以及磁盘表面粗糙度的实测曲线.测试结果表明,该测量仪的示值误差优于3%,示值变动性小于±3%,可实现自动调焦自动测量.
- 陈涛陈家璧李柱
- 关键词：测量仪磁盘表面粗糙度
- 新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析被引量：2
- 1995年
- 本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。
- 徐静平余岳辉彭昭廉陈涛
- 关键词：关断时间通态压降存储电荷
