孙丽
- 作品数：17 被引量：18H指数：3
- 供职机构：海南师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金海南省自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学电子电信更多>>
- 超薄膜Cr层的插入对Gd/Ni80Fe20磁性的调控
- 为在稀土和铁族磁性过渡金属及合金薄膜中实现阻尼因子的调控,同时能保持较高的饱和磁化强度1,利用高真空磁控溅射仪制备了具有不同Cr 层厚度的Gd(4 nm)/Cr(tCr)/Ni80Fe20(12 nm)系列薄膜。利用X ...
- 孙丽黄兆聪翟亚
- 关键词：铁磁共振饱和磁化强度
- 表面活性剂在GeO_2湿化学制备体系中的应用
- 2014年
- 表面活性剂是富集于相与相交界之间的区域,并对界面性质及相关工艺产生影响的一类物质。近年来在各种纳米材料制备中扮演了一个重要的角色,在定向设计多样性的纳米材料以及控制纳米材料的分散等方面起着重要的作用。本文根据近年来湿化学体系下制备GeO2纳米材料的进展,结合表面活性剂的特性。分类地总结了它们在制备GeO2纳米材料中的作用机理和特点。
- 邹旭孙丽彭菊媛付海川刘红
- 关键词：表面活性剂化学制备
- FeGd合金薄膜中磁矩翻转过程的研究
- 袁士俊孙丽翟亚
- 关键词：合金磁化过程
- 第一性原理研究half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的半金属铁磁性被引量：4
- 2018年
- 构建只含有一种过渡金属元素的half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi.采用第一性原理的全势能线性缀加平面波方法计算half-Heusler合金VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算结果表明, VLiBi和CrLiBi是半金属性铁磁体,它们的半金属隙分别是0.25 eV和0.46 eV,晶胞总磁矩分别为3.00μB和4.00μB.磁性计算结果显示,晶胞总磁矩主要来源于V和Cr的原子磁矩, Li和Bi的原子磁矩较弱,而且Bi的原子磁矩为负值.利用平均场近似方法计算合金的居里温度TC, VLiBi和CrLiBi的居里温度(TC)的估算值分别为1401 K和1551 K.使晶格常数在±10%的范围内变化,分别计算VLiBi和CrLiBi的电子结构.计算研究表明,晶格常数在-5.6%—10%和-6.9%—10%的范围内变化时VLiBi和CrLiBi仍具有半金属性,并且晶胞总磁矩稳定于3.00μB和4.00μB.采用局域密度近似(LDA)+U (电子库仑相互作用项)的方法计算VLiBi和CrLiBi的电子结构,当U的取值增大到5 eV时VLiBi和CrLiBi仍保持半金属性.此外,采用考虑自旋-轨道耦合(spin-orbit coupling, SOC)效应的广义梯度近似(GGA)+SOC方法计算VLiBi和CrLiBi的电子结构,计算结果显示有微弱的自旋向下能带穿过费米能级,此时VLiBi和CrLiBi在费米面处的自旋极化率分别为98.8%和94.3%,它们的晶胞总磁矩分别为3.03μB和4.04μB. VLiBi的半金属性几乎不受SOC效应的影响,而CrLiBi在费米面处仍有较高的自旋极化率.
- 姚仲瑜孙丽潘孟美孙书娟刘汉军
- 关键词：半金属第一性原理电子结构铁磁性
- Co含量对Fe_(100-x)Co_x薄膜磁性的影响被引量：1
- 2013年
- 通过高真空磁控溅射仪在Si衬底上成功制备了厚度为30nm的Fe100-xCox系列薄膜,并利用X射线衍射仪、振动样品磁强计和铁磁共振对其结构和磁性质进行了研究.X射线衍射结果表明,Co含量的增加使得Fe100-xCo(x110)晶峰增强,晶格常数减小.磁性测量表明Co的加入使得薄膜在保持较高矩形比的情况下,饱和磁化强度增加,面内易磁化方向的矫顽力增大.当x=0时饱和磁化强度为1.215×10-1T,矫顽力为1.186×104A/m;当x=50时,饱和磁化强度增至1.810×10-1T,同时矫顽力增大至3.342×104A/m.铁磁共振谱的测量结果给出了其磁各向异性的数值和方向,发现随着Co含量的增加,薄膜的磁各向异性有由易平面向易垂直移动的趋势.
- 孙丽王昱坤翟亚
- 关键词：磁滞回线磁各向异性
- 不同厚度Cr中间层对Gd/FeCo薄膜磁电阻效应转变的影响被引量：1
- 2022年
- 磁电阻作为表征自旋阀结构最具代表性的特征之一,是研究多层膜层间耦合作用的重要研究手段.稀土/磁性过渡金属通过耦合和界面效应诱导室温下稀土具有磁性,插入中间非磁金属层通过调控层间耦合作用实现自旋阀结构将有利于拓展稀土在自旋电子学领域的应用.通过分析具有不同Cr层厚度(t_(Cr))的Gd(4 nm)/Cr(t_(Cr))/FeCo(5 nm)三层膜室温下面内磁电阻效应,本文研究了薄膜的层间耦合和界面效应.研究发现,相对于FeCo薄膜,Gd/FeCo薄膜表现出更为明显的各向异性磁电阻.Cr的插入使得电流垂直于磁场时的磁电阻在低场峰值位置处出现一极小值,且这个极小值随着t_(Cr)的增加变得更加明显.当t_(Cr)=3 nm时,几乎完全表现为负自旋阀磁电阻效应.FeCo层与Cr/Gd形成的不同的自旋散射不对称是产生这一负自旋阀磁电阻效应的主要原因.电流平行于磁场时磁电阻峰值随t_(Cr)的振荡和低温下的磁滞回线证实了低温和室温下层间耦合的存在.
- 张艺玮宋恒博李小燕孙丽刘晓莹寇朝霞张栋费红阳赵志斌翟亚
- 关键词：磁电阻层间耦合
- 高等教育内涵式发展背景下大学生物理学习兴趣的调查研究被引量：3
- 2018年
- 文章从大一新生物理学习兴趣的调查入手,分析学生对物理产生学习兴趣的原因,观察不同性别的学生物理学习兴趣产生原因的差异。从创设物理情景、关注学生已有基础、改革评价方式3个方面提出激发与保持学生大学物理学习兴趣的策略。
- 刘晓莹彭鸿雁姚仲瑜孙丽张铁民
- 关键词：大学物理
- GdxFe1-x磁性薄膜中铁磁共振线宽的分离和双磁子散射
- 材料的磁化弛豫过程直接决定着磁性存储器件的存储密度和读写速度,而铁磁共振(FMR)的共振线宽提供了磁性阻尼的信息[1,2],因此对于研究磁性弛豫过程有重要的意义.然而FMR线宽与阻尼因子的机制和它们之间的关系颇为复杂.
- 蒋盛孙丽傅钰罗琛翟亚
- 关键词：铁磁共振磁性薄膜
- 聚焦磁光克尔效应研究坡莫合金图形阵列中的局部磁性
- 2015年
- 利用聚焦磁光克尔效应(MOKE)研究了不同形状单元组成的坡莫合金图形化阵列的单个单元磁化过程,研究发现单元的形状对单元磁性有很大影响,主要是单元的退磁场和形状有很大关联。研究还发现矩形阵列单个单元的磁滞回线不但与其矩形比有关,与单元间隔和在阵列中的阵列位置也有关。矩形单元易磁化方向沿着其长边方向,而短边方向为难磁化方向,其形状磁各向异性随矩形比而增大。当阵列单元之间的间隔大于单元尺寸时,在阵列中单元的位置对磁性影响相对较少,基本与单个单元的磁性相同。当单元之间的间隔接近单元尺寸时,不同位置的单元的磁性表现出磁各向异性不同,表明单元间的磁相互作用对磁性产生影响。
- 孙丽韩琦赵崇谊黄兆聪翟亚徐永兵
- 关键词：激光物理磁各向异性
- 热阴极直流辉光等离子体化学气相沉积法制备纳米晶金刚石膜的研究被引量：2
- 2015年
- 采用热阴极直流辉光等离子体CVD方法,在氩气/甲烷/氢气混合气氛中制备出纳米晶金刚石膜,研究不同氩气/氢气流量比对纳米晶金刚石膜沉积的影响。对样品形貌的SEM测试表明,随着氩气与氢气流量比由40/160增加到190/10,膜中金刚石晶粒尺寸由约600nm减小到约30nm。金刚石膜Raman谱中金刚石特征峰逐渐减弱,石墨G峰逐渐增强,反式聚乙炔特征峰及其伴峰强度加大。等离子体光谱分析表明C2是生长纳米晶金刚石膜的主要活性基团。
- 彭鸿雁赵万邦赵立新姜宏伟孙丽
