张立森
- 作品数：149 被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术理学金属学及工艺更多>>
- 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底
- 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森杨大宝张雄文宋旭波何泽召蔚翠
- 文献传递
- 一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器
- 本发明公开了一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，涉及调制放大器技术领域。包括衬底、波导芯层、两个欧姆接触电极、石墨烯层和绝缘介质层，所述波导芯层位于所述衬底上表面的中部，所述波导芯层的上面和左右侧面设有两个以上石墨...
- 王俊龙冯志红邢东梁士雄张立森蔚翠杨大宝
- 文献传递
- 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
- 本发明公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导，所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内，所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波导槽...
- 王俊龙冯志红杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东徐鹏
- 文献传递
- 低寄生电阻的肖特基二极管
- 本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体...
- 宋旭波吕元杰梁士雄王元刚张立森冯志红
- 单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路
- 本发明公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电...
- 王俊龙冯志红房玉龙杨大宝梁士雄张立森赵向阳徐鹏邢东
- 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路
- 本实用新型公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石英基板和射频输出波导，所述石英基板的一端位于所述射频输入波导的波导槽内，所述石英基板的另一端位于所述射频输出波导的波...
- 王俊龙冯志红杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东徐鹏
- 文献传递
- 基于GaAs肖特基二极管的220GHz线阵列被动接收前端被引量：1
- 2020年
- 基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器。三倍频器使用两个以串联结构集成4个肖特基结的二极管芯片实现平衡式倍频模式;220 GHz分谐波混频器使用一对反向并联结构的GaAs肖特基二极管实现混频功能。室温下输入功率为100 mW,三倍频器在90~110 GHz频带范围内功率效率超过5%;当本振动率为4 mW时,谐波混频器在200~220 GHz频带内变频损耗小于9 dB。接收前端的单个通道通过上机测试,成像性能良好。该接收前端尺寸为40 mm×38 mm×26 mm,可广泛应用于各种毫米波成像检测系统。
- 杨大宝梁士雄梁士雄张立森赵向阳吕元杰冯志红
- 关键词：接收前端成像
- 大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构
- 本发明提供了一种大功率宽带太赫兹倍频肖特基二极管结构，属于半导体器件技术领域，包括多个串联单元，串联单元的数量为偶数，每个串联单元包括多个同向串联的肖特基结；多个串联单元反向并联。本发明提供的大功率宽带太赫兹倍频肖特基二...
- 张立森梁士雄杨大宝宋旭波徐鹏吕元杰顾国栋冯志红
- 基于调制掺杂的GaN肖特基二极管
- 本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层、在衬底层上生长的高掺杂的N+型GaN层，以及在N+型GaN层上采用调制掺杂生长的N-型GaN...
- 梁士雄冯志红房玉龙邢东王俊龙张立森杨大宝
- 文献传递
- 170GHz二倍频器2路功率合成技术研究
- 2024年
- 文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR5标准波导,160GHz~185GHz频带内,插入损耗在0.4dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。采用GaAs肖特基二极管单片集成技术设计并制备单路二倍频器,以满足一致性要求;基于170GHz二倍频器2路功率合成的测试结果表明,输入功率在600mW~800mW之间,163GHz~178GHz的输出功率在110mW~264mW,合成效率在80%以上。在171GHz的频点下,峰值输出功率可达264mW,峰值合成效率达到92%。
- 徐鹏徐辉王国瑾张立森张立森宋旭波顾国栋宋旭波冯志红
- 关键词：太赫兹功率合成
