冯志红
- 作品数：680 被引量：151H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法
- 本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括：在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层，其中，砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓；在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片...
- 杨大宝刘波邢东赵向阳冯志红
- 金刚石在GaN功率放大器热设计中的应用被引量：2
- 2022年
- 随着GaN功率放大器向小型化、大功率发展,其热耗不断增加,散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达2 000 W/(m·K),是一种极具竞争力的新型散热材料,可用作大功率器件的封装载片。采用不同载片材料对一款热耗为53 W的GaN功率放大器进行封装。分别采用有限元仿真及红外热成像仪对放大器的芯片结温进行仿真和测试,结果显示,采用金刚石载片封装的放大器的结温比采用钼铜(MoCu30)载片封装的放大器的结温降低了30.01℃,约18.69%。同其他常用载片材料进行进一步对比得出,在相同工作条件下,采用金刚石载片封装的放大器结温最低,并且随着热耗增加,金刚石的散热能力更为突出。在芯片安全工作温度175℃以下,金刚石能满足GaN功率放大器100 W热耗的散热需求。
- 崔朝探陈政郭建超赵晓雨何泽召杜鹏搏杜鹏搏
- 关键词：有限元仿真散热能力
- 电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种电子束曝光方法、电子束光刻方法及金属线条制备方法。电子束曝光方法包括：根据第一版图图形对基片进行第一电子束曝光处理；根据第二版图图形对所述基片进行第二电子束曝光处理，其中，所述第二版...
- 韩婷婷冯志红吕元杰敦少博顾国栋
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- 太赫兹二倍频平衡式倍频电路
- 本发明公开了一种太赫兹二倍频平衡式倍频电路，涉及用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡的装置技术领域。所述倍频电路包括射频输入波导、石英基板和输出波导，在石英基板上倒装焊接两个分立的多管结GaAs基倍频二极管组件作...
- 王俊龙冯志红杨大宝梁士雄张立森赵向阳邢东
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- 用于太赫兹混频器的新型混合集成电路
- 本发明公开了一种用于太赫兹混频器的新型混合集成电路，涉及电通信的传输装置技术领域。包括石英基板电路、GaAs基板电路、射频波导以及本振波导，GaAs基板电路包括GaAs基板和位于GaAs基板内的GaAs太赫兹肖特基二极管...
- 王俊龙杨大宝邢东梁士雄张立森赵向阳冯志红
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- 一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法
- 本发明公开了一种改善MMIC功率放大器性能的芯片布局方法，涉及微波单片集成电路的制作方法技术领域。包括以下步骤：（1）将有源器件形成于半导体基板的正面，无源器件形成于半导体基板的背面；（2）通过有源器件上的栅极PAD以及...
- 冯志红宋旭波敦少博徐鹏王元刚顾国栋房玉龙吕元杰尹甲运邢东
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- 蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种蓝宝石上石墨烯射频MMIC芯片上通孔的制备方法，该方法包括：在蓝宝石衬底的正面制备刻蚀阻止层，采用预设波长的激光在所述蓝宝石衬底的背面的预设位置将所述蓝宝石衬底打通，制备通孔；在...
- 宋旭波吕元杰蔚翠郭建超冯志红
- 一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法
- 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法，该制备方法包括：在氧化镓外延层上制备预设图案的光刻胶层，部分氧化镓外延层未被光刻胶层覆盖；氧化镓外延层形成于氧化镓衬底的上表面；在氧...
- 王元刚吕元杰敦少博韩婷婷刘宏宇冯志红
- GaN基异质结场效应晶体管及制造方法
- 本发明适用于半导体器件技术领域，尤其涉及一种GaN基异质结场效应晶体管及制造方法。所述晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层及分列于所述势垒层上的源极、栅极和漏极；其中，所述势垒层的形成材料包...
- 郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
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- 一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法
- 本发明公开了一种基于自对准技术的石墨烯晶体管制造方法，涉及半导体器件的制造方法技术领域。在衬底上形成石墨烯材料，在石墨烯材料上形成一层金属薄膜，利用平版印刷术形成所需要的光刻胶图形，去除未被光刻胶覆盖的地方的金属，去除未...
- 李佳冯志红蔚翠刘庆彬何泽召王晶晶
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