2024年12月25日
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吕元杰
作品数:
307
被引量:30
H指数:4
供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
中国博士后科学基金
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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文化科学
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合作作者
冯志红
河北半导体研究所
宋旭波
河北半导体研究所
顾国栋
河北半导体研究所
敦少博
中国电子科技集团第十三研究所
韩婷婷
中国电子科技集团第十三研究所
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2008
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307
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肖特基二极管的制备方法
本发明涉及半导体领域,特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括:在衬底上外延n型氧化镓层;在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层;其中,所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域;对器件正面进行等离子体表面...
王元刚
冯志红
吕元杰
刘宏宇
周幸叶
谭鑫
宋旭波
梁士雄
提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法
一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法,相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法,本发明在一定程度上增大极化库仑场散射,增强其对极化光学声子散射的抵消作用,将会使得R<Sub>S</Sub>具有更小...
林兆军
崔鹏
吕元杰
杨铭
付晨
杨勇雄
文献传递
帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法,涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤:去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层;分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层;分别...
吕元杰
宋旭波
冯志红
王元刚
谭鑫
周幸叶
Si基GaN压力传感器的制备方法
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法,该方法包括:在第一硅片中制备凹槽;将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上,形成密封腔体;将GaN晶圆与所述密封腔体键合,其中,所述GaN晶圆...
吕元杰
谭鑫
周幸叶
宋旭波
王元刚
冯志红
氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件
本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括:在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入,并采用预设温度激活所述第一离子;在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入,所述第...
吕元杰
王元刚
周国
刘方罡
戴剑
周幸叶
王磊
宋学峰
崔玉兴
卜爱民
冯志红
一种光刻方法
本发明提供一种光刻方法。该方法包括:清洗和沉积:清洗半导体衬底,并在其表面沉积生长介质;光刻和蒸镀金属:在生长介质表面涂覆光刻胶,利用光刻机及光刻版对生长介质表面进行曝光、显影,形成曝光图形,在曝光图形表面蒸镀金属薄膜,...
王元刚
吕元杰
郭红雨
卜爱民
徐森锋
冯志红
一种射频功率放大器
本发明提供一种射频功率放大器,包括功率放大模块和转换模块,功率放大模块包括第一端口、第一晶体管和第二端口,用于对接收到的射频信号进行功率放大;当射频功率放大器处于信号发射状态时,转换模块用于控制第一晶体管处于共源极工作,...
宋旭波
吕元杰
梁士雄
陈长友
刘永强
张立森
敦少博
冯志红
文献传递
面探测器阵列结构、探测设备及探测系统
本发明适用于光电探测技术领域,提供了一种面探测器阵列结构、探测设备及探测系统,上述面探测器阵列结构包括:多个光电探测单元、M条横向金属带线、与M条横向金属带线一一对应的M个横向选通开关、N条纵向金属带线、及与N条纵向金属...
周幸叶
吕元杰
韩婷婷
王元刚
冯志红
文献传递
增强型HFET
本发明公开了一种增强型HFET,涉及半导体开关器件技术领域。所述HFET,包括HFET器件本体,所述HFET器件本体的漏电极与源电极之间的沟道层上存在无二维电子气区,且栅电极以外的沟道层上存在无二维电子气区,无二维电子气...
王元刚
冯志红
吕元杰
谭鑫
宋旭波
周幸叶
房玉龙
顾国栋
郭红雨
蔡树军
文献传递
可用于0.3THz的国产肖特基倍频二极管
本文基于半导体工艺,制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管,通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极,制作的GaAs基肖特基二极管的尺寸为345um*55um*SOum(L*W*H)...
王俊龙
邢东
梁士雄
张立森
杨大宝
吕元杰
宋旭波
何泽召
冯志红
关键词:
性能表征
半导体工艺
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