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王仕建

作品数:8 被引量:9H指数:2
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电池
  • 5篇AL2O3
  • 3篇太阳电池
  • 3篇硅电池
  • 3篇表面钝化
  • 2篇电极
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇烧蚀
  • 2篇激光
  • 2篇激光烧蚀
  • 2篇AL
  • 1篇点接触
  • 1篇电池制备
  • 1篇电极制备
  • 1篇钝化
  • 1篇氧化铝
  • 1篇异质结
  • 1篇三氧化二铝
  • 1篇生长温度
  • 1篇太阳能

机构

  • 7篇中国科学院微...
  • 2篇北京交通大学
  • 1篇许昌开普电器...

作者

  • 8篇王仕建
  • 7篇贾锐
  • 4篇孙昀
  • 4篇丁武昌
  • 4篇孟彦龙
  • 3篇崔冬萌
  • 3篇陈晨
  • 3篇刘新宇
  • 3篇金智
  • 2篇乔秀梅
  • 1篇张希清
  • 1篇孙兵
  • 1篇李昊峰
  • 1篇邢钊

传媒

  • 2篇第13届中国...
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
异质结背结触(HJ-BC)电池的关键参数优化研究
全异质结背接触太阳电池结合了异质结电池高开路电压与背接触电池高短路电流的优势,有望在晶体硅电池领域实现新的突破.本文设计了背结异质结电池,研究了表面复合、电极接触等对电池性能的影响.模拟计算表明,背表面复合速率决定了背结...
丁武昌贾锐崔冬萌乔秀梅王仕建金智刘新宇
关键词:物理性能计算机模拟结构优化
文献传递
Al_2O_3对晶硅电池的表面钝化研究
2014年
采用原子层沉积(Atomic layer Deposition,ALD)工艺制备了Al2O3,并对晶硅电池的表面进行钝化。通过与采用传统热氧化SiO2钝化的p型晶硅电池相比较,采用Al2O3钝化后晶硅太阳电池开路电压可提高5%。在未经制绒处理的情况下,短路电流可提高17.4%。通过对不同钝化技术下晶硅电池少子寿命变化以及发射区方阻变化的分析,采用原子层沉积工艺制备的Al2O3不仅能对晶硅电池表面实现良好钝化,还可避免高温氧化工艺对电池发射区的影响。
孟彦龙贾锐孙昀王仕建邢钊丁武昌李昊峰陈晨孙兵李尚卿
关键词:太阳电池AL2O3表面钝化
用于高效硅太阳电池的原子层沉积Al_2O_3表面钝化特性研究被引量:3
2013年
系统研究了采用热——原子层沉积技术生长的Al2O3对p型晶体硅的表面钝化特性。Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果。此外,通过采用C-V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明,除了薄膜层中的负固定电荷,Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用。
孙昀贾锐孟彦龙王仕建金智刘新宇
关键词:AL2O3ALD
原子层沉积三氧化二铝对晶硅电池的表面钝化研究
2O3 是一种带有负电荷的钝化材料,近年来随着原子层沉积技术的发展Al2O3 在高效晶硅电池钝化中的作用逐渐显现,成为近年来晶硅电池钝化技术研究的重要方向之一.由于采用原子层技术生长的Al2O3 对于n 型和p 型材料均...
孟彦龙贾锐孙昀王仕建
关键词:AL2O3表面钝化
一种具有背面电极点接触结构的太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种具有背面电极点接触结构的太阳能电池的制备方法,该方法包括:对n或p型太阳能电池片进行清洗制绒;对制绒后的电池片进行扩散制结;对扩散制结后的电池片进行前后表面的钝化;对钝化后的电池片进行退火处理;对电池片的...
贾锐王仕建陈晨金智刘新宇
文献传递
背结异质结电池的关键技术研究
全背接触异质结太阳电池结合了异质结电池高开路电压与背接触电池高短路电流的优势,有望在晶体硅电池领域实现新的突破.本文设计了背结异质结电池,研究了表面复合、电极接触等对电池性能的影响.模拟计算表明,背表面复合速率决定了背结...
丁武昌贾锐崔冬萌乔秀梅王仕建
Al2O3及本征非晶硅层钝化研究
Al2O3和本征非晶硅层在硅表面以其良好的钝化性能越来越受到人们的青睐。随着人们对太阳电池低成本、高效率的追求,硅片的厚度也越来越低,因此硅片的表面钝化就显的尤为重要。传统的钝化材料,如SiOx、SiNx、SiOx/Si...
王仕建
关键词:氧化铝退火工艺生长温度
激光在PERC晶硅电池中背面点接触电极制备中的应用被引量:4
2013年
在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比,发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结,以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7Ω.cm2降到1.24Ω.cm2,效率从4.2%提高到10.7%。
王仕建贾锐张希清孙昀孟彦龙丁武昌崔冬萌陈晨任高全
关键词:AL2O3激光烧蚀激光烧结
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