刘东屏
- 作品数：34 被引量：18H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术理学更多>>
- 具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
- 本发明涉及一种具有几何形状的磁性多层膜，包括沉积在衬底上的磁性多层膜单元的各层；所述的磁性多层膜单元的横截面呈多边形闭合环状，该磁性多层膜单元中的具有铁磁性的薄膜层的磁矩或磁通量形成顺时针或逆时针的闭合状态。还包括在上述...
- 韩宇男温振超杜关祥赵静刘东屏韩秀峰
- 文献传递
- 用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法
- 本发明提供一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法。该用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其中所述间隔层为非两性有机材料。采用本发明的方法能得到高均匀性的有机膜，形成的器件质量轻，且制...
- 王云鹏王文秀刘东屏韩秀峰
- 一种复合半导体层
- 本发明提供一种复合半导体层，其包括：SOI衬底，沉积于体硅材料上，且该SOI衬底上沉积有硅薄膜；场效应晶体管，在所述硅薄膜上，其源极通过第一过孔连接到第二辅助输入\输出信号线上，该第二辅助输入\输出信号线通过第三过孔连接...
- 郭鹏刘东屏韩秀峰
- 一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器
- 本发明公开了一种磁性多层膜及其磁逻辑元件和磁性随机存取存储器。本发明的磁性多层膜自下而上地包括：第一反铁磁层；第一硬磁层；第一非磁性金属层；第二软磁层；隧道势垒层；第三软磁层；第二非磁性金属层；第四硬磁层；和第二反铁磁层...
- 梁世恒刘东屏温振超韩秀峰
- MgO掺杂对Fe/MgO/Fe单晶外延磁性隧道结的影响
- MgO结构的磁性隧道结是磁性随机存储器(MRAM)和硬盘磁头(HDD Head)的核心结构和功能单元.但长久以来,由于MgO势垒带隙较大,在实验上电阻较高,MBE外延生长的Fe/MgO/Fe结构难于实现自旋转移力矩效应.
- 刘东屏韩秀峰
- 关键词：磁性隧道结磁电阻效应自旋电子学
- 一种自旋晶体管
- 本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层，...
- 刘东屏温振超瑞哈娜莎麦拉韩秀峰
- 文献传递
- 一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路
- 本发明提供一种新型电场调制型场效应管及其衍生的互补型场效应管。所述新型场效应管的栅极和背栅施加一定电压时，源极和漏极之间的电阻状态在高低阻态之间变化；所述的互补型场效应管具有栅极、背栅、源极1和漏极1、源极2、漏极2，当...
- 韩秀峰郭鹏陈怡然刘东屏
- 文献传递
- 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器
- 本发明公开一种基于Rashba效应的磁性随机存取存储器单元，包括磁性多层膜存储单元和写位线，其特征在于，所述磁性多层膜存储单元自下而上依次包括衬底、非磁性层、核心功能层区和覆盖层；所述核心功能层区自下而上依次包括下磁性层...
- 陈军养刘东屏温振超韩秀峰张曙丰
- 一种闭合的超导环状多层膜及其制备方法和用途
- 本发明涉及一种闭合的超导环状多层膜，其特征在于：所述的超导多层膜的横截面呈闭合的椭圆环或矩形环；椭圆内环的短轴为10～100000nm，短轴与长轴的比值为1∶1～5，椭圆外环的短轴为20～200000nm；矩形内环的宽度...
- 温振超刘东屏韩宇男马明覃启航韩秀峰
- 文献传递
- 新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15
- 2013年
- 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。
- 韩秀峰刘厚方张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山
- 关键词：巨磁电阻效应磁性隧道结磁随机存储器
