刘洪涛
- 作品数：13 被引量：14H指数：3
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金上海市科委重大科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术理学一般工业技术更多>>
- Cd在Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能
- 2006年
- 为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073K,973K和873K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(–2.38eV/kT)(873K^1073K),其中扩散激活能QCd为2.38eV。
- 刘洪涛桑文斌李万万张斌闵嘉华詹峰曹泽淳
- 探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置
- 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属于高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻...
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛李万万詹峰
- 文献传递
- Cd、In气氛下退火对Cd0.9Zn0.1Te性能的影响(英文)
- 研究了可控制Cd、In气氛下退火对Cd0．9Zn0．1 Te性能的影响。不同Cd压下(In压不变:1×10-2Pa)退火的实验表明:在平衡Cd压下退火电阻率可从6．7×105Ω·cm显著地提高到109-1010Ω·cm,...
- 刘洪涛桑文斌詹峰李万万李刚闽嘉华
- 关键词：CDZNTE退火电阻率
- 文献传递
- 利用可控In气氛下热处理工艺制备Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te:In(英文)被引量：1
- 2007年
- 利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe:In。不同In压下(Cd,Zn分压保持在平衡分压)的热处理实验结果表明:热处理后样品的电阻率可从6.75×105Ω .cm提高到108～1010Ω .cm;并且随着In压的增加,导电类型逐渐由p型转变为n型。热处理后样品的电阻率变化特征可以由In的扩散和施主缺陷InCd、受主缺陷VCd之间的补偿作用来很好地解释。利用扩散理论建立了CdZnTe:In的电阻率物理模型。利用热处理后样品的电阻率数据,计算了在873,973和1073K时In原子在CZT晶体中的有效扩散系数DIn,分别为3.455×10-11,2.625×10-10和5.17×10-9cm2/s。将扩散数据经过拟合后得到了DIn的表达式:1.35exp(-1.85eV/kT)cm2/s(873～1073K)。
- 刘洪涛桑文斌李万万闵嘉华李刚
- 关键词：CDZNTE电阻率
- 探测器级CdZnTe：In晶体生长研究
- 化合物半导体Cd<,0.9>Zn<,0.1>Te(CZT)是一种性能优异的新一代X、γ射线探测器材料。由于其在医学、空间科学、机场、港口安检、核废料监测及其它核技术应用领域巨大的应用前景，受到各国的广泛关注。目前，国际上...
- 刘洪涛
- 关键词：晶体生长数值模拟
- 文献传递
- 热处理方法改善CdZnTe晶体性能研究(英文)被引量：3
- 2007年
- 对电阻率为10^3-6Ω·cm的In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片在Te气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理，对电阻率为10^8-9Q·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd／Zn平衡蒸汽压下进行了热处理。结果表明，In掺杂Cd0．9Zn0．1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级。非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型，在热处理温度700℃，In分压6．1×10^-4Pa，退火时间达48h后，电阻率可以提高到2．6×10^9Ω·cm。
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛钱永彪滕建勇樊建荣李万万张斌金玮
- 关键词：CDZNTE
- 高灵敏度核辐射仪及其无线监测系统的研制
- 桑文斌田小林钱永彪徐宇辉谢广利江滨清陆国华史伟民闵嘉华秦凯丰王昆黍刘洪涛
- 简要技术说明该项目成功解决了CsI闪烁晶体的材料质量控制、表面加工处理、与半导体光电管的耦合及封装、低噪声高增益电荷灵敏放大器等关键技术，完成了新型高灵敏度闪烁晶体放射性传感器的设计与试制工作，研究成功并能批量生产传感器...
- 关键词：
- 关键词：传感器
- 探测器用CdTe、ZnTe或CdZnTe原料的提纯方法及其装置
- 本发明涉及一种探测器用CdTe、ZnTe和CdZnTe原料的提纯方法及其装置。属高纯原料气相提纯工艺技术领域。本方法采用准闭管气相输运提纯法，具体工艺程序如下：将Cd、Zn、Te合成的化合物多晶原料放入气相输运装置电阻炉...
- 闵嘉华桑文斌刘洪涛李万万詹峰
- 文献传递
- CdZnTe晶体生长中掺In量对晶体电学性能的影响被引量：1
- 2008年
- 通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×10^(17)cm^(-3)时,得到了电阻率达1.89×10^(10)Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
- 袁铮桑文斌钱永彪刘洪涛闵嘉华滕建勇
- 关键词：核探测器CDZNTE电学性能
- CdZnTe晶体生长用石英管的镀碳工艺研究被引量：4
- 2005年
- 使用金相显微镜、推力分析仪测试等手段研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、碳膜和石英结合力的影响。获得了一个优化的镀碳工艺参数,即在镀碳温度为950～1100℃,气体流量为4～7ml/h,镀碳时间为6h,冷却时间为12h的条件下得到的碳膜较为均匀,而且和石英结合的较好。使用该工艺条件镀膜的石英管生长出的CdZnTe晶体表面光洁,位错密度低,约为4×104cm-2。
- 闵嘉华桑文斌钱永彪李万万刘洪涛樊建荣
- 关键词：CDZNTE晶体
