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刘熙

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇阈值电压
  • 4篇场效应
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电阻
  • 3篇肖特基
  • 3篇饱和电流
  • 3篇背靠背
  • 3篇GAN器件
  • 3篇场效应管
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电路
  • 2篇硬开关
  • 2篇钳位电路
  • 2篇埋层
  • 2篇可靠性
  • 2篇高压功率器件
  • 2篇功率器件
  • 2篇测量电路
  • 1篇氮化镓器件

机构

  • 11篇电子科技大学

作者

  • 11篇刘熙
  • 5篇张波
  • 5篇陈万军
  • 5篇周琦
  • 4篇李佳
  • 3篇叶星宁
  • 2篇孙瑞泽
  • 2篇陈涛

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2007
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
AlGaN/GaN动态开关可靠性机理研究
氮化镓材料因其具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度大等优势，在功率半导体领域受到了广泛关注，被视为功率电子器件长足发展的希望。基于应用需求，各大公司相继开发了多种实现增强型GaN器件的技术，并陆续有商用器件投入使...
刘熙
关键词：可靠性评估
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基于氮化镓电机驱动器损耗及效率的分析与研究
电机驱动系统广泛应用在自动化、航空航天等领域，沿着智能化、高功率密度、高可靠性的发展趋势快速发展。功率开关器件作为电机驱动系统的核心部件，它的性能直接影响了系统的运行效果。随着半导体产业的革新，基于氮化镓(GaN)材料的...
刘熙
关键词：电机驱动
一种GaN纵向逆导结场效应管
本发明属于功率半导体技术领域，涉及GaN纵向逆导结场效应管。本发明利用器件顶层两个背靠背的PN结形成JFET结构来控制沟道的开启和关断。肖特基金属和欧姆金属分别淀积在相邻两个JFET区上形成源极，利用源极肖特基金属形成逆...
周琦魏鹏程董志文马骁勇熊娓杨秀刘熙陈万军张波
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一种高频DCDC开关电源装置
本发明公开了一种高频DCDC开关电源装置，属于电子电路技术领域。高频DCDC开关电源装置包括：DCDC转换单元、反馈调节单元和频率调节单元。DCDC转换单元用于将输入直流电压转换为输出直流电压；反馈调节单元用于检测输出信...
陈万军李佳刘熙信亚杰孙瑞泽史琦
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一种GaN器件动态导通电阻测量电路
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种GaN器件动态导通电阻测量电路。本发明从GaN应用中所紧密相关的动态特性出发，测试电路包括驱动电路、软硬开关转换电路以及钳位电路；驱动电路以ADuM4224为核心；开关转换电路包括两个...
周琦刘熙叶星宁陈涛李佳张波
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基于AMBA总线的数字音视频SoC设计研究
正如眼睛与耳朵对于人类感受外界信息的重要性,以视频和音频为主的多媒体处理也成为数字信息时代最重要的领域之一。高清晰、高品质的音视频播放设备已经成为市场上的宠儿,而这些设备的核心-处理器芯片,能否支持高清数字音视频源解码就...
刘熙
关键词：SOCIPFPGAAMBA
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一种GaN纵向逆导结场效应管
本发明属于功率半导体技术领域，涉及GaN纵向逆导结场效应管。本发明利用器件顶层两个背靠背的PN结形成JFET结构来控制沟道的开启和关断，且利用肖特基金属淀积在一侧的P‑GaN上形成逆导二极管的阳极。通过适当的控制沟道宽度...
周琦董志文魏鹏程马骁勇熊娓杨秀刘熙陈万军张波
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一种高频低结温的GaN异质结场效应晶体管
本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是涉及一种高频低结温的GaN异质结场效应晶体管。本发明的GaN异质结场效应晶体管，主要通过采用InAlN作为器件的势垒层材料，InAlN与GaN形成异质结时没有逆压电效应，因而可以克...
陈万军李佳刘熙信亚杰孙瑞泽
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一种GaN器件动态导通电阻测量电路
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种GaN器件动态导通电阻测量电路。本发明从GaN应用中所紧密相关的动态特性出发，测试电路包括驱动电路、软硬开关转换电路以及钳位电路；驱动电路以ADuM4223为核心；开关转换电路包括两个...
周琦刘熙叶星宁陈涛李佳张波
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一种GaN纵向逆导结场效应管
本发明属于功率半导体技术领域，涉及GaN纵向逆导结场效应管。本发明利用器件顶层两个背靠背的PN结形成JFET结构来控制沟道的开启和关断，且利用肖特基金属淀积在一侧的P‑GaN上形成逆导二极管的阳极。通过适当的控制沟道宽度...
周琦董志文魏鹏程马骁勇熊娓杨秀刘熙陈万军张波
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