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刘英明

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 10篇晶体
  • 10篇光子
  • 10篇光子晶体
  • 8篇腔面
  • 8篇面发射
  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 8篇垂直腔
  • 8篇垂直腔面
  • 8篇垂直腔面发射
  • 7篇单模
  • 7篇面发射半导体...
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体激光
  • 7篇半导体激光器
  • 7篇垂直腔面发射...
  • 4篇多有源区
  • 2篇外腔
  • 2篇外腔式
  • 2篇内腔式

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 10篇刘英明
  • 9篇徐晨
  • 9篇王宝强
  • 9篇解意洋
  • 7篇王春霞
  • 7篇沈光地
  • 7篇阚强
  • 5篇陈弘达
  • 1篇赵振波
  • 1篇刘发
  • 1篇周康

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇物理学报
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 5篇2010
  • 2篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
低阈值内腔三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区结构。同时...
徐晨解意洋王宝强刘英明阚强王春霞
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外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。同...
沈光地徐晨解意洋陈弘达阚强王春霞刘英明王宝强
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掩膜对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响被引量:1
2011年
结合刻蚀GaAs基光子晶体在光子晶体垂直腔面发射激光器中的应用,研究了光刻胶、SiO2掩膜的特性以及对GaAs基二维光子晶体ICP刻蚀效果的影响,并分析了ICP刻蚀小尺寸光子晶体时,造成底面凹凸不平、侧壁粗糙、垂直度差的原因.最后,调整工艺条件,利用BP212-7CP光刻胶做掩膜,成功制作了直径为1.2~4.0μm、深度为1.5μm的侧壁光滑垂直、底面平整的高质量光子晶体结构.
徐晨王宝强刘英明解意洋沈光地
关键词:掩膜光子晶体GAAS
内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的有有源区上采用了多有源区结构。...
徐晨解意洋沈光地陈弘达阚强王春霞刘英明王宝强
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外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
外腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构。...
沈光地徐晨解意洋陈弘达阚强王春霞刘英明王宝强
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光子晶体垂直腔面发射激光器的电流分布研究被引量:4
2010年
对氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器注入到有源区的电流密度分布进行了分析研究.提出三维电流分布计算模型,研究了光子晶体结构对电流密度分布和器件串联电阻的影响.研究发现,光子晶体孔刻蚀深度越深,电流分布圆对称性越差,引起的串联电阻越大.不同光子晶体图案对电流分布的均匀性和圆对称性也有很大的影响.该模型对于研究、设计氧化限制型外腔式光子晶体垂直腔面发射激光器提供了一个有用的分析方法.
王宝强徐晨刘英明解意洋刘发赵振波周康沈光地
关键词:光子晶体垂直腔面发射激光器电流分布
外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
外腔大功率三有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子领域。普通的垂直腔面发射半导体激光器存在单程光增益小、多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本实用新型在器件的有源区上采用了多有源区...
徐晨解意洋刘英明王宝强阚强王春霞
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内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器
本发明涉及内腔式多有源区光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,属于半导体光电子领域。普通氧化限制性垂直腔面发射半导体激光器多横模激射、单模输出功率低、阈值电流大、串联电阻大等问题。本发明在器件的的有有源区上采用了多有源区结构...
徐晨解意洋沈光地陈弘达阚强王春霞刘英明王宝强
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二维光子晶体对面发射激光器横模控制研究被引量:5
2010年
垂直腔面发射激光器的单模输出特性在光网络数据传输光互连、光存储和激光打印中有重要的应用。传统的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器由于串联电阻大、发热严重而很难工作在单模状态。二维光子晶体结构可以有效地控制垂直腔面发射激光器的横向模式,使器件工作在单模状态下。从理论上系统研究了光子晶体垂直腔面发射半导体激光器的单模条件,成功设计了一组单模光子晶体垂直腔面发射半导体激光器,并通过常规工艺制作出功率0.6mW、边模抑制比大于30dB、阈值电流4mA、远场发散角8.4°、不受电流注入影响的单模光子晶体垂直腔面发射半导体激光器。实验证明:光子晶体可有效地进行横模控制。
解意洋徐晨阚强王春霞王宝强刘英明陈弘达沈光地
关键词:光子晶体垂直腔面发射半导体激光器单模
光子晶体精密加工技术研究
光子晶体是一种介电常数呈周期性的新材料,它是一门很新颖的新学科,在微波领域、网络方面、光电元件中都具有非常广泛的应用前景。由于光子晶体对光子态密度有很强的调制作用,将其应用到垂直腔面发射激光器中(VCSEL)能够改善其模...
刘英明
文献传递
共1页<1>
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