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张勇

作品数：8 被引量：13H指数：3
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海-AM基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇射频识别
  • 3篇UHF_RF...
  • 3篇超高频
  • 3篇超高频射频识...
  • 2篇单片
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇多模
  • 2篇多模多频
  • 2篇多频
  • 2篇噪声
  • 2篇频率综合器
  • 2篇综合器
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声
  • 2篇放大器
  • 1篇单片CMOS
  • 1篇电池
  • 1篇电感电容压控...
  • 1篇调制

机构

  • 8篇华东师范大学
  • 1篇上海电力学院
  • 1篇苏州市职业大...

作者

  • 8篇张勇
  • 7篇张润曦
  • 7篇赖宗声
  • 3篇陈子晏
  • 3篇何伟
  • 3篇徐萍
  • 2篇李斌
  • 2篇任旭
  • 1篇陈磊
  • 1篇汤乃云
  • 1篇黄飞
  • 1篇张红英
  • 1篇田应洪
  • 1篇石春琦
  • 1篇王基庆
  • 1篇谢淼
  • 1篇刘艳
  • 1篇吕斌
  • 1篇马和良
  • 1篇李彬

传媒

  • 4篇微电子学
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
单片UHF RFID阅读器中低噪声频率综合器的设计
2009年
结合EPC global C1 G2协议和ETSI规范要求,讨论了频率综合器噪声性能需求,并设计实现了用于单片CMOS UHF RFID阅读器中的低噪声三阶电荷泵锁相环频率综合器。在关键模块LC VCO的设计中,采用对称LC滤波器和LDO调节器提高VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm CMOS RF工艺实现,测得频率综合器在中心频率频偏200 kHz和1 MHz处相位噪声分别为-109.13 dBc/Hz和-127.02 dBc/Hz。
何伟张润曦徐萍张勇陈子晏赖宗声
关键词：超高频射频识别频率综合器相位噪声
单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计
2010年
设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。
何伟徐萍张润曦张勇李彬陈子晏马和良赖宗声
关键词：互补金属氧化物半导体电感电容压控振荡器超高频射频识别
多模多频收发机中可编程增益放大器的设计被引量：1
2011年
设计了一种基于运算放大器和电阻反馈网络的宽带全差分可编程增益放大器。该可编程增益放大器（PGA）采用三级级联结构,实现增益为1~57 dB可变,步长为2 dB。PGA中运放采用零点补偿法扩展带宽,整个PGA带宽达30 MHz。芯片采用IBM 0.13μm标准CMOS工艺实现,电源电压为2.5 V,功耗为62 mW。
黄飞任旭张勇张润曦赖宗声
关键词：运算放大器可编程增益放大器
一种0.13 μm CMOS多模信道选择滤波器的设计被引量：3
2011年
设计了一款应用于多模多频无线接收机中的新型有源电阻电容信道选择滤波器,截止频率可在0.3～10MHz之间切换,满足UHF RFID、TD-SCDMA、WLAN a/b/g等不同标准的要求。运算放大器设计采用无电容前馈补偿技术,增益带宽积提升至4.8GHz。滤波器采用5阶Leapfrog滤波器级联2阶Tow-Thomas滤波器结构,使截止频率不易受器件变化的影响,同时兼顾稳定性和可调性。电路采用IBM 0.13μm CMOS工艺流片。测试结果表明,在2.5V电源电压下选择10MHz带宽时,滤波器消耗13.56mA电流,在两倍截止频率处实现64dB的衰减,带内噪声系数为28dB,带内纹波小于0.2dB,带内输入3阶交调为11.5dBm。
任旭谢淼张勇赖宗声张润曦
关键词：前馈补偿多模多频
前端接触势垒高度对非晶硅和微晶硅异质结太阳电池的影响被引量：3
2009年
运用AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)程序系统分析了前端接触(铟锡氧化物)的势垒分别对非晶硅和微晶硅太阳电池性能的影响,比较了两种影响的差异并分析了具体原因.研究表明:与微晶硅相比,非晶硅受铟锡氧化物功函数ΦITO的影响更加显著.随着ΦITO的增加非晶硅的各项物理性能(如太阳电池效率、填充因子等)得到明显改善,而微晶硅的各项参数虽然也随ΦITO增加而改变,但更容易趋于饱和.模拟结果显示,在实际的太阳电池装备过程中可根据前端电极的性能来选择合适的p型硅材料.
张勇刘艳吕斌张红英王基庆汤乃云
关键词：铟锡氧化物非晶硅微晶硅计算机模拟
用于射频识别阅读器的并行放大求和结构对数放大器被引量：1
2009年
基于IBM0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种并行放大求和结构对数放大器(parallel-amplification parallel-summation logarithmic amplifier:PPLA)。该结构克服了连续检波式对数放大器(SDLA)延时长、易自激的缺点,在实现大动态范围的同时,无需反馈环路来稳定。该放大器应用于射频识别阅读器的ASK解调电路中,将大动态范围的输入信号压缩到接收机可以接收的范围。整个并行放大求和对数放大器获得70dB的动态范围、1MHz带宽、19mW功耗。
张勇陈磊李斌张润曦赖宗声
关键词：对数放大器
射频识别阅读器中信道选择滤波器的设计被引量：4
2010年
基于IBM0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种适用于UHF RFID（Radio Frequency Identification）阅读器的信道选择滤波器。这种滤波器和其他结构滤波器相比,可以获得更高的线性度和更好的噪声特性。设计中,低通滤波器截止频率0.3~1.3 MHz范围内可调。当截止频率设置为900 kHz时,带内增益稳定在0 dB,在1.8 MHz频率处具有大于49 dB的幅度衰减。
李斌田应洪张勇张润曦赖宗声
UHF RFID阅读器中低噪声Σ小数频率综合器的设计被引量：1
2010年
采用0.18μmRF CMOS工艺结合EPC C1G2协议和ETSI规范要求,实现了一种应用于CMOS超高频射频识别阅读器中的低噪声ΔΣ小数频率综合器。基于三位三阶误差反馈型ΔΣ解调器,采用系数重配技术,有效提高频率综合器中频段噪声性能;关键电路VCO的设计过程中采用低压差调压器技术为VCO提供稳定偏压,提高了VCO相位噪声性能。多电源供电模式下全芯片偏置电流为9.6mA,测得在中心频率频偏200kHz、1MHz处,相处噪声分别为-108dBc/Hz和-129.8dBc/Hz。
何伟徐萍张润曦石春琦张勇陈子晏赖宗声
关键词：超高频射频识别相位噪声频率综合器调制器
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