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徐萍

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院微电子电路与系统研究所更多>>
发文基金：上海市教育委员会重点学科基金上海-AM基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇超高频
  • 4篇射频识别
  • 4篇UHF_RF...
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇超高频射频识...
  • 2篇单片
  • 2篇噪声
  • 2篇频率综合器
  • 2篇综合器
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声
  • 2篇混频
  • 2篇混频器
  • 2篇放大器
  • 1篇单片CMOS
  • 1篇低功耗
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电感电容压控...
  • 1篇电路

机构

  • 6篇华东师范大学
  • 1篇苏州市职业大...

作者

  • 6篇张润曦
  • 6篇赖宗声
  • 6篇徐萍
  • 5篇何伟
  • 3篇陈子晏
  • 3篇张勇
  • 2篇马和良
  • 1篇田应洪
  • 1篇石春琦
  • 1篇蒋颖丹
  • 1篇马聪
  • 1篇李彬

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 2篇微电子学

年份

  • 5篇2010
  • 1篇2009
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
单片UHF RFID阅读器中低噪声频率综合器的设计
2009年
结合EPC global C1 G2协议和ETSI规范要求,讨论了频率综合器噪声性能需求,并设计实现了用于单片CMOS UHF RFID阅读器中的低噪声三阶电荷泵锁相环频率综合器。在关键模块LC VCO的设计中,采用对称LC滤波器和LDO调节器提高VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm CMOS RF工艺实现,测得频率综合器在中心频率频偏200 kHz和1 MHz处相位噪声分别为-109.13 dBc/Hz和-127.02 dBc/Hz。
何伟张润曦徐萍张勇陈子晏赖宗声
关键词：超高频射频识别频率综合器相位噪声
单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计
2010年
设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。
何伟徐萍张润曦张勇李彬陈子晏马和良赖宗声
关键词：互补金属氧化物半导体电感电容压控振荡器超高频射频识别
低功耗流水线ADC中多阈值比较器的设计被引量：1
2010年
采用IBM0.13μm CMOS工艺,设计了适用于80MS/s流水线结构A/D转换器的比较器。电路使用全差分动态锁存结构,在Lewis-Gray结构的基础上,保留比较器阈值和输入差分管尺寸之间的线性比例关系,改进复位和输出电路结构,降低了设计复杂度和功耗,减小了面积。通过细致的版图考虑,实现了7种不同阈值电压的比较器,失调小于13mV,最大面积为25μm×13μm,最高工作频率达500 MHz;80MS/s工作时,功耗最大仅为63μW,低于Lewis-Gray结构的比较器。
蒋颖丹田应洪马聪张润曦徐萍赖宗声
关键词：A/D转换器比较器
433MHz ASK接收机射频前端电路设计
2010年
设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前端电路消耗电流10.09 mA。主要的测试结果如下:低噪声放大器的噪声系数、增益、输入P1dB压缩点分别为1.35 dB、17.43 dB、-8.90dBm;下混频器的噪声系数、电压增益、输入P1dB压缩点分别为7.57dB、10.35dB、-4.83dBm。
徐萍何伟张润曦赖宗声
关键词：射频前端低噪声放大器接收机超高频
便携式UHF RFID阅读器中发射前端电路设计被引量：1
2010年
采用0.18μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHFRFID阅读器的射频发射前端电路。所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号。在1.8V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1dB,达到-14.9dBVrms,转换增益和噪声系数分别为3.18dB和13.20dB;驱动放大器的输出端P1dB在50Ω阻抗上达到3.5dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90～16.30dB和3.10～5.00dB。
徐萍何伟张润曦马和良赖宗声
关键词：驱动放大器射频识别超高频
UHF RFID阅读器中低噪声Σ小数频率综合器的设计被引量：1
2010年
采用0.18μmRF CMOS工艺结合EPC C1G2协议和ETSI规范要求,实现了一种应用于CMOS超高频射频识别阅读器中的低噪声ΔΣ小数频率综合器。基于三位三阶误差反馈型ΔΣ解调器,采用系数重配技术,有效提高频率综合器中频段噪声性能;关键电路VCO的设计过程中采用低压差调压器技术为VCO提供稳定偏压,提高了VCO相位噪声性能。多电源供电模式下全芯片偏置电流为9.6mA,测得在中心频率频偏200kHz、1MHz处,相处噪声分别为-108dBc/Hz和-129.8dBc/Hz。
何伟徐萍张润曦石春琦张勇陈子晏赖宗声
关键词：超高频射频识别相位噪声频率综合器调制器
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