您的位置: 专家智库 > >

张海君

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:北京师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信农业科学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇农业科学

主题

  • 3篇区熔
  • 3篇晶体管
  • 3篇光晶体管
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇区熔单晶硅
  • 2篇
  • 1篇增益
  • 1篇少子寿命
  • 1篇水稻
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态特性
  • 1篇胚乳
  • 1篇胚乳细胞
  • 1篇胚乳细胞增殖
  • 1篇种子
  • 1篇种子形成
  • 1篇线性度
  • 1篇相互作用
  • 1篇激酶

机构

  • 4篇北京师范大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 4篇张海君
  • 3篇韩德俊
  • 2篇张录
  • 2篇宁宝俊
  • 2篇张秀荣
  • 2篇杨茹
  • 1篇田晓娜
  • 1篇梁琨
  • 1篇周地宝
  • 1篇孙彩明
  • 1篇盛丽艳
  • 1篇闫凤章

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光子学报
  • 1篇核电子学与探...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
水稻己糖激酶7与Arf-GTPase激活蛋白的相互作用机理研究
糖类不仅是植物的结构物质、能量物质和中间代谢物,而且是重要的信号分子,参与各项生命活动的调节,与激素信号、光信号等共同构成了植物生长发育调节网络。己糖激酶不仅是糖代谢中的关键元素,而且其糖感应和糖信号转导功能也已在部分生...
张海君
关键词:水稻己糖激酶相互作用胚乳细胞增殖种子形成
高纯区熔单晶硅高增益光晶体管的研究被引量:2
2004年
区熔单晶硅与直拉单晶硅以及其他半导体材料相比杂质含量少 ,少子寿命长 ,所以以区熔单晶硅为衬底制作的光晶体管在弱的光信号下仍然有高的增益 ,适宜于弱光探测 报道了以区熔单晶硅为衬底的光晶体管的实验结果 为了保持区熔高纯单晶硅内的少子寿命 ,背面淀积了一层掺磷多晶硅作为外吸杂层 已经测量得到对于实验中发射极直径为 2mm的光晶体管在波长为0 .83μm的入射光照射下 ,光功率低至 0 .16nW时 ,光晶体管的增益仍然高达 4 40
田晓娜张秀荣张海君韩德俊G.Batignani
关键词:区熔单晶硅光晶体管增益少子寿命
区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究
2008年
现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。
梁琨张海君周地宝杨茹韩德俊张录宁宝俊
关键词:瞬态特性光晶体管
高灵敏高线性度区熔硅光晶体管的研究
2006年
报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的光晶体管的实验结果.在穿通电压附近(40V),0.83μm波长的光入射及0.15nW入射光功率条件下,器件的响应度为38A/W;工作在发射结-集电结接近穿通状态时线性度最好,在0.15~1500 nW光功率(4个数量级)范围内,线性因子为0.9954,接近于Hamamatsu S1227-1010BQ光电二极管在同一光功率区间内的线性因子(0.9982).另外,这种光晶体管的增益在130左右且增益的起伏在1%以内时,偏压的变化允许在2.5%以内(40V±1V),温度的变化可允许±2℃.其增益对偏压及温度的稳定性优于线性模式下具有相近增益的雪崩光电二极管.
韩德俊孙彩明盛丽艳张秀荣张海君闫凤章杨茹张录宁宝俊
关键词:光晶体管线性度
共1页<1>
聚类工具0