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娄利飞

作品数：33 被引量：109H指数：6
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>

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文献类型

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领域

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  • 5篇自动化与计算...
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主题

  • 9篇微传感器
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  • 9篇传感
  • 9篇传感器
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  • 4篇压电
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  • 4篇PZT
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机构

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  • 1篇西北大学
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作者

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传媒

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  • 3篇2006
  • 7篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
石墨烯/碳纳米管三维结构的电子输运特性被引量：4
2016年
根据石墨烯有无碳源的实际生长方式,构建了4种石墨烯/碳纳米管T型复合三维结构采用结合密度泛函理论与非平衡格林函数的计算方法对这4种结构的电子输运特性进行了研究.首先在ATK软件中构建双探针模型并进行了结构优化,然后对这四种结构的透射图谱和电子态密度谱线进行了仿真分析.研究结果可为基于碳纳米材料三维互连线结构的相关研究提供参考.
娄利飞潘青彪张军琴周晓乐
关键词：石墨烯碳纳米管电子输运特性
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究被引量：3
2005年
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素.
娄利飞肖斌汪家友杨银堂李跃进
关键词：电子回旋共振等离子体刻蚀锆钛酸铅
AlN薄膜PMUT阵列指向性仿真分析与阵列优化被引量：2
2020年
由于氮化铝压电薄膜相对较低的压电常数限制了氮化铝基微机械超声换能器的发展和应用,因此针对该问题研究了氮化铝基微机械超声换能器阵列的指向性。首先依据瑞利原理计算了换能器阵的远场声压以及归一化指向性函数;进而仿真分析了阵元半径、阵元间距、阵元数量以及工作频率等因素对阵列波束宽度、方向锐度角和旁瓣级的影响,并对换能器阵进行了优化;最后根据优化结果、面积和填充效率等因素进行综合考虑,确定了换能器阵的最终结构尺寸,并对其声压分布进行了可视化仿真。仿真结果表明,优化后换能器阵具有较为理想的声压分布,指向性良好,主瓣尖锐,主瓣的-3 dB波束宽度为9°左右,旁瓣级为0.228左右。
娄利飞安再芳李艺宁赵明阳赵建新
关键词：氮化铝指向性
一种体声波谐振器及改进其聚能结构的方法
本发明公开了一种体声波谐振器及改进其聚能结构的方法，该体声波谐振器包括衬底、底电极层、压电层、顶电极层及聚能框架结构；所述聚能框架结构根据等效声阻抗要求可调，所述聚能框架结构根据等效阻抗要求调整时，包括：根据等效声阻抗要...
费春龙安再芳谌东东娄利飞赵建新
文献传递
一种应用于物联网终端的LC无源无线微型湿度传感器
本发明公开了一种应用于物联网终端的LC无源无线微型湿度传感器，该LC无源无线微型湿度传感器第一层为柔性基板，第二层为LC金属层，第三层为湿敏介质层，第四层为石蜡保护层，柔性基板采用柔性PCB材料及PI材料制成，LC金属层...
娄利飞杨银堂董刚李小菲
文献传递
硅基PZT压电驱动微开关的设计和优化被引量：2
2005年
采用压电多层微悬臂梁理论分析模型,研究了一种新型PZT压电复合多层膜微悬臂梁驱动微开关的机械性能,提出了一种新的硅基PZT压电复合多层薄膜微悬臂梁驱动微开关的制作方法。利用有限元分析软件AN SY S7.0对微悬臂梁结构进行了模态分析,探讨了结构参数与微悬臂梁运动特性的关系及影响压电薄膜微开关性能的因素,进一步模拟了0.3 V工作电压下微开关的位移。结果表明,经优化后的压电薄膜微开关可进一步应用到集成化芯片系统中。
娄利飞杨银堂李跃进张军琴
关键词：压电薄膜有限元分析微开关
硅基PZT压电薄膜微传感器的关键技术研究
集成电路技术的发展使得微电子学由电路集成进入系统集成时代，在集成化芯片系统中，不仅需要强大的信号处理、运算分析能力，同时需要感知外界信号的微传感器和以及将运算结果作用于外界环境的微执行器。与此同时，微传感器和微执行器技术...
娄利飞
关键词：压电薄膜微传感器集成电路微电子学微型开关
文献传递
基于智能反射面的多用户涡旋电磁波的交替优化方法
本发明公开了一种基于智能反射面的多用户涡旋电磁波的交替优化方法，包括：基站获取基站和目标用户设备上的UCA的天线、RIS的反射单元的位置信息；确定基站到RIS、RIS到目标用户设备的信道；结合待发送的数据确定对应的接收信...
兰军娄利飞朱家鑫尚禹宏梁志远邓智林
4H-SiC金属-半导体-金属结构紫外探测器的模拟与分析被引量：6
2008年
用MEDICI软件对金属一半导体一金属（MSM）结构4H—SiC紫外（UV）探测器的FV特性以及光谱响应等特性进行了模拟与分析，并探讨了金属电极的宽度、电极间距以及外延层厚度对探测器响应度的影响。结果表明，室温下该探测器的暗电流线性密度达到10^-13A／μm，且在不同电压下光电流至少比暗电流大两个数量级；探测器的光谱响应范围为200-400nm，在347nm处响应度达到极大值；增大指宽或者减小指间距可以提高探测器的响应度；当波长小于峰值波长时外延层厚度对探测器的响应度基本没影响，而当波长大于峰值波长时随着外延层厚度的增大探测器的响应度有所增大。
张军琴杨银堂卢艳娄利飞赵妍
关键词：探测器紫外探测器光谱响应
单片集成MEMS技术被引量：10
2005年
介绍了单片集成MEMS技术相对传统混合(hybrid)方法的优势;分析了单片集成MEMS技术实现的难点,同时,给出了目前与CMOS工艺兼容的多种单片集成MEMS的技术特点、工艺流程;详细阐述了目前各种post CMOS技术。最后,给出单片集成MEMS技术的未来发展趋势。
江建明娄利飞汪家友杨银堂
关键词：微机电系统单片集成CMOS兼容
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