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文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶片
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光工艺
  • 1篇抛光片
  • 1篇抛光液
  • 1篇磷化镓
  • 1篇晶片

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇樊成才
  • 1篇宋文会
  • 1篇郑安生
  • 1篇李忠义
  • 1篇龙彪

年份

  • 1篇2000
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片抛光工艺
本发明涉及半导体单晶片的抛光工艺。本工艺是将直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片浸入化学预处理液中进行化学预处理;再进行镓面的抛光,最后进行磷面的抛光。本工艺解决了在同一抛光液中镓面抛光速度慢,磷面的抛光速度...
樊成才郑安生宋文会李忠义龙彪
文献传递
共1页<1>
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