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马晓华

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇氮化镓
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇刻蚀
  • 1篇氮化镓基材料
  • 1篇电路
  • 1篇栅结构
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇阈值电压
  • 1篇肖特基
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇纳米
  • 1篇开槽
  • 1篇可重复性
  • 1篇集成电路
  • 1篇隔离区

机构

  • 4篇北京大学

作者

  • 4篇马晓华
  • 4篇郝跃
  • 3篇王茂俊
  • 3篇吴文刚
  • 3篇于民
  • 3篇王金延
  • 3篇张进城
  • 2篇徐哲
  • 1篇叶甜春
  • 1篇吴汉明
  • 1篇谢冰
  • 1篇高大为
  • 1篇史峥
  • 1篇胡有存
  • 1篇居建华
  • 1篇朱林
  • 1篇王阳元
  • 1篇黄如
  • 1篇严晓浪
  • 1篇田立林

年份

  • 3篇2017
  • 1篇2007
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法
本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度...
刘靖骞王金延徐哲王茂俊谢冰于民吴文刚张进城马晓华郝跃
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90~65纳米极大规模集成电路大生产的关键技术研究
王阳元吴汉明康晋锋严晓浪郝跃徐秋霞黄如史峥张兴田立林马晓华叶甜春高大为胡有存居建华
该成果属信息技术领域。基于国民经济的重大需求，在国家863重大专项支持下，在90nm和65nmCMOS极大规模集成电路大生产关键技术方面开展研究。项目由北京大学、浙江大学、西安电子科技大学、清华大学、中科院微电子所和中芯...
关键词：
关键词：集成电路纳米
带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法
本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法，由于在势垒层中插入氮化镓层，使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层，氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果，从而完成...
刘靖骞王金延徐哲王茂俊于民吴文刚张进城马晓华郝跃
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基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法
本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范...
刘靖骞王金延蒋海桑王宏跃朱林王茂俊于民吴文刚张进城马晓华郝跃
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