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张进城

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇氮化镓
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇刻蚀
  • 1篇氮化镓基材料
  • 1篇栅结构
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇阈值电压
  • 1篇肖特基
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇开槽
  • 1篇可重复性
  • 1篇隔离区

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇王茂俊
  • 3篇吴文刚
  • 3篇马晓华
  • 3篇于民
  • 3篇郝跃
  • 3篇王金延
  • 3篇张进城
  • 2篇徐哲
  • 1篇谢冰
  • 1篇朱林

年份

  • 3篇2017
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法
本发明公开了一种带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件的制备方法，由于在势垒层中插入氮化镓层，使凹槽栅结构的制备可以实现腐蚀自停止于氮化镓插入层，氮化镓层在势垒层中不同的插入位置可以方便地实现不同深度的凹槽腐蚀效果，从而完成...
刘靖骞王金延徐哲王茂俊于民吴文刚张进城马晓华郝跃
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基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法
本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基器件隔离的制备方法，隔离区利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，消除了等离子体对有源区边缘及隔离区表面的损伤，可以有效降低泄漏电流，而隔离区仅势垒层被刻蚀掉，相对于ICP刻蚀来说台阶高度...
刘靖骞王金延徐哲王茂俊谢冰于民吴文刚张进城马晓华郝跃
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基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法
本发明公开了一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，欧姆区域开槽利用自停止氧化湿法腐蚀技术制备，即只氧化势垒层，后续腐蚀可以只腐蚀掉被氧化的势垒层，腐蚀过程停止在GaN层表面，只需保证温度是在自停止氧化范...
刘靖骞王金延蒋海桑王宏跃朱林王茂俊于民吴文刚张进城马晓华郝跃
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