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唐盼盼

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷补偿
  • 1篇电阻
  • 1篇SOI结构
  • 1篇LDMOS

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...

作者

  • 1篇王颖
  • 1篇唐盼盼

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
OB LDMOS器件的性能研究
2012年
研究了一种具有OB(Oxide By-passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真。通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ.cm2降低到1.96mΩ.cm2,同时克服了SJ LD-MOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷。
唐盼盼王颖
关键词：SOI结构导通电阻电荷补偿
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