王海山
- 作品数：8 被引量：127H指数：6
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 加工参数对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响被引量：4
- 2004年
- 王海山王志法姜国圣杨会娟莫文剑
- 关键词：加工参数铜钼芯片粉末冶金
- 表面处理方式对铜/钼/铜复合材料界面结合效果的影响被引量：12
- 2005年
- 借助金相显微镜、扫描电镜观察了钼、铜界面的微观组织 ,研究了采用不同表面处理方式对铜 /钼 /铜复合材料界面结合效果的影响 ,并对其界面的结合机制进行了深入的讨论。结果表明 ,经过喷砂化学处理的材料复合后界面结合最牢固 ,界面剪切强度最高 ,达到 78.9MPa ,形成很强的铜和钼的机械啮合 ,其主要的结合机制是机械啮合机制和硬化块破裂机制 ;在同等复合参数条件下 。
- 姜国圣王志法何平王海山
- 关键词：表面处理
- 退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响被引量：11
- 2004年
- 研究了不同退火温度对轧制复合Cu/Mo/Cu电子封装材料性能的影响。结果表明退火温度对复合材料的剪切强度、轧向导电能力和厚度方向导热能力有显著影响 ,退火温度为 85 0℃时 ,Cu/Mo/Cu电子封装材料的综合性能最好。
- 王海山王志法姜国圣肖学章莫文剑
- 关键词：电子封装材料
- Au-Ag-Si新型中温共晶钎料的研究被引量：19
- 2005年
- 根据合金相图的基本原理,分析了Au-Ag-Si 系相图,研制出熔化温度在400℃～500℃的共晶钎料合金。通过钎料合金与Ni 板的润湿性测试和润湿后界面的微观组织分析。结果表明:Au-Ag-Si 系钎料对于纯Ni 具有良好的漫流性和润湿性,在450℃～500℃范围内,可以对Ni 板进行钎焊。
- 莫文剑王志法姜国圣王海山
- 关键词：钎料浸润性
- 电子封装材料的研究现状及进展被引量：63
- 2004年
- 根据电子及封装技术的快速发展特点,通过比较几种传统的电子封装材料的优劣,以金属基复合材料为重点,阐述了三明治复合板 KCK(Kovar/Cu/Kovar)的制作及性能,并展望了电子封装材料的发展方向及前景。
- 杨会娟王志法王海山莫文剑郭磊
- 关键词：电子封装复合材料集成电路
- 轧制复合Cu//Mo//Cu电子封装材料的研究
- 为了迎接电子工业快速发展，封装材料必须具有优良的综合性能，Cu／Mo／Cu复合层板就是一种性能优良的电子封装材料。本文采用轧制复合的方法成功制备了Cu／Mo／Cu电子封装材料，并对其加工工艺过程进行了研究，对材料的力学性...
- 王海山
- 文献传递
- Au-Ag-Si钎料合金的初步研究被引量：21
- 2004年
- 针对目前熔点在450～500℃范围内的电子器件用钎料的空缺,通过分析Au-Ag-Si系三元相图,并根据其存在的共晶单变量线e1e2,制备了几种熔化温度在400～500℃的共晶钎料合金,并对其钎焊性和加工性能进行了初步的研究。DTA分析发现,合金的熔点在所选定的合金成分范围内随Ag含量的增加而升高。此钎料与Ni板浸润性较好;将钎料合金铸锭热轧后表明该合金作为可加工的实用钎料是合适的。同时,初步探讨了Cu元素对于Au-Ag-Si系合金的熔化特性和塑性变形能力的影响,结果表明Cu对于改善合金的加工性能和缩小固液相间距具有重要的意义。
- 莫文剑王志法王海山杨会娟
- 关键词：钎料合金共晶钎焊性可加工三元相图
- 轧制复合制备Kovar/Cu/Kovar层状复合材料被引量：4
- 2004年
- 分析研究了轧制温度和单道次变形率对Kovar/Cu/Kovar层状复合材料制备的影响.结果表明,轧制温度为800℃,单道次变形率为50%时,Kovar/Cu/Kovar电子封装材料的界面结合强度较好,电阻率、抗拉强度等性能均达到要求。
- 杨会娟王志法姜国圣王海山唐仁政
- 关键词：电子封装材料轧制温度变形率
