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董凤良: 作品数：52 被引量：65H指数：7; 供职机构：国家纳米科学中心更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院科研装备研制项目更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

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一种微偏振片阵列及其制作方法: 本发明涉及一种微偏振片阵列的制作方法，所述方法为：在衬底上镀一层金属薄膜层；在金属薄膜层上镀一层SiNx薄膜作为硬掩模；在所述SiNx薄膜层上旋涂电子束正性光刻胶层并烘烤；通过...; 董凤良徐丽华宋志伟褚卫国; 文献传递

一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法: 本发明涉及纳米加工技术领域，具体涉及一种精度为亚十纳米的电子束曝光和定位方法，包括：S1：设计用于约束电子束的曝光图形；S2：在基底材料上旋涂电子束抗蚀剂，选取合适的电子束曝光步长和剂量，经过电子束曝光、显影和定影得到具...; 胡海峰褚卫国陈佩佩董凤良闫兰琴

一种纳米结构阵列及其制备方法和用途: 本发明提供了一种纳米结构阵列及其制备方法和用途，所述纳米结构阵列的面积为100-250000μm2，所述纳米阵列的线宽为3-15nm；所述纳米结构阵列的制备方法包括：对衬底进行表面处理；采用电子束曝...; 陈佩佩李志琴董凤良闫兰琴徐丽华褚卫国; 文献传递

光机械式红外探测器中镜面弯曲对探测灵敏度的影响(英文): 2007年; 光学读出式红外成像技术是近年来研究的热点,本文讨论了镜面弯曲对光学检测灵敏度的影响。由双材料微悬臂梁组成的非致冷焦平面阵列通过体刻蚀工艺加工而成,由于残余应力的影响,制成的焦平面阵列将会发生弯曲,应力导致的镜面弯曲将会降低光学探测灵敏度。本文通过傅立叶光学模拟了镜面弯曲对光学探测灵敏度的影响,并通过实验验证了该模型。实验和模拟结果表明,在镜面曲率为0 .1mm-1时,光学探测灵敏度将会降低到理想情况的40 %。最后我们用这个模型评价了通过表面修饰来提高光学性能的效果。; 缪正宇张青川伍小平陈大鹏郭哲颖董凤良熊志铭李超波焦斌斌; 关键词：光学读出焦平面阵列

一种纳米级的铝刻蚀方法: 一种纳米级的铝刻蚀方法。所述方法包括采用利用0℃以下的低温控制工艺的刻蚀工艺，及清洗工艺。本发明采用的低温刻蚀工艺，能有效地控制反应速率，并且能稳定地控制铝的纳米级关键尺寸、刻蚀深度及侧壁垂直度。; 徐丽华董凤良苗霈宋志伟闫兰琴褚卫国; 文献传递

一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法: 本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器，包括：由双层氮化硅SiNx薄膜分别形成的支撑结构和微反射镜结构，支撑结构同时也作为红外辐射吸收层，用于吸收红外辐射；微反射镜结构用于与支撑结构形成红外吸收...; 陈大鹏叶甜春欧毅董立军刘辉胥兴才韩敬东李超波焦彬彬黄庆文石莎莉伍小平张青川董凤良熊慎明; 文献传递

偏振片阵列与相机的感光靶面的对准系统、方法和设备: 本发明提供一种偏振片阵列与相机的感光靶面的对准系统、方法和设备，涉及光学元件技术领域。在进行精确对准时，控制器基于相机和偏振片阵列的位置，控制第一位移自动控制平台和/或第二位移自动控制平台在垂直方向上调整偏振片阵列与相机...; 赵乐褚卫国董凤良徐丽华宋志伟闫兰琴

双材料微梁阵列非制冷红外成像技术--微梁阵列的设计与制作: 本文给出了一种用于非制冷光学读出红外探测器的核心器件--微悬臂梁阵列的设计和制作,它是SiNx/Au双材料单层膜结构,简化制作工艺、可以直接在空气中成像.实验使用了设计制作的140×98微梁阵列和高信噪比的12-bitC...; 董凤良潘亮张青川伍小平陈大鹏王玮冰郭哲颖; 关键词：非制冷红外成像光学读出; 文献传递

像素偏振片阵列制备及其在偏振图像增强中的应用被引量：16: 2014年; 像素偏振片阵列在实时测量光的斯托克斯参量方面具有重要的应用.本文设计和制作了基于金属铝纳米光栅的像素偏振片阵列,制作工艺基于电子束曝光技术.偏振片阵列单元尺寸为7.4μm,每相邻2×2单元的透偏振方向分别为0,7π/4,π/2和3π/4.光栅周期为140 nm,占空比为0.5,深度100 nm,光栅面型为矩形.像素偏振片阵列的扫描电子显微镜照片显示,制备的偏振片阵列的金属纳米光栅栅线无断线、无交叉、无杂物污染,光栅栅线结构平直,厚度均匀,满足理想矩形面型.采用偏振光作为照明光的光学显微镜拍摄图片显示,像素偏振片阵列整体形状规则,具有很好的偏振特性,最大偏振透射率可达到79.3%,消光比可达到454.将像素偏振片阵列与CCD(charge coupled device)集成在一起,采集单帧图像即可计算图像的斯托克斯参量,从而得到拍摄物体线偏振度图像和线偏振角图像,实现了偏振增强,可应用于目标反隐和识别.; 张志刚董凤良张青川褚卫国仇康程腾高杰伍小平; 关键词：消光比

一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法: 本发明提供了一种亚10纳米库仑阻塞器件的制备方法，包括如下步骤：(1)设计对顶结构的交叠型图形作为库仑阻塞器件的掩模图形；(2)按步骤(1)设计好的图形利用电子束对电子束胶曝光，并经过显影、定影，得到掩模；(3)在步骤(...; 胡海峰褚卫国陈佩佩董凤良闫兰琴; 文献传递