钟飞
- 作品数：175 被引量：204H指数：6
- 供职机构：湖北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术机械工程金属学及工艺更多>>
- 高速枕式包装机横封机构可靠性分析被引量：1
- 2020年
- 以枕型带包装机往复横封机构为研究对象,探究横封机构误差规律对设备可靠性的影响。根据其运动原理建立运动简图,依据机构运动方程与蒙特卡罗数字模拟法相关原理,对横封机构进行位置可靠度和可靠性灵敏度的精确分析。在只允许负公差的前提下,以95%的运动精度可靠性设计目标为前提,该横封机构的曲柄连杆长度方向的尺寸公差等级为IT9时,其运动精度达到功能需求,且失效率低于5%。虽然更高的精度等级便会失效概率无限接近于0,但从经济合理性角度出发,IT9为该横封机构中曲柄连杆的最佳尺寸公差。此方法对于类似曲柄连杆机构的可靠性灵敏度分析也具有指导意义。
- 于道航严国平钟飞杨小俊万乾程
- 关键词：横封机构蒙特卡罗方法可靠性
- 电解电容视觉定位算法研究被引量：1
- 2020年
- 工业电解电容的生产包装中,需要精确定位电容的位置和针脚朝向,视觉系统获取到电容的位置信息后,将其传递给机械手,抓取电容。根据此需求,提出基于图像二阶矩的图像识别算法,即采用一阶矩获取电容图像的质心,然后采用二阶矩获取电容图像的倾斜角度;利用电容图像的外接矩形获取电容的中心位置,通过外接矩形中心与电容图像质心的差,可以计算出电容针脚的朝向,从而确定电容的位姿。结合实验与仿真的数据,该算法的运行时间为748ms,识别准确度为100%,电容识别和抓取的平均用时为1s,满足工业要求。
- 朱晓凡严国平钟飞黄振
- 关键词：最小外接矩形
- 一种摇盖式大开口固定烟盒装盒工艺和装置
- 一种摇盖式大开口固定烟盒装盒工艺和装置，该工艺包括如下步骤：⑴将固顶式模盒中分层排好的香烟通过气泵推杆推入活动模盒，推进过程中经过下垂式包烟纸带，香烟裹上包烟纸一同进入活动模盒；⑵当香烟被推至活动模盒末端后，抽出活动模盒...
- 杨小俊龚发云钟飞邓援超徐显金叶竹君钱坤吴龙辉
- 文献传递
- 一种弹夹式单列电容装盘装置及其装盘方法
- 一种弹夹式单列电容装盘装置及其装盘方法，包括机架（1），其特征在于：所述机架（1）的上方一侧设置有滑道（2），滑道（2）的外侧上端为电容进入口，滑道（2）的下端水平设置有滑板（4），滑板（4）通过往复移动机构安装在机架（...
- 夏军勇钟飞吴斌方夏明安周宏娣严国平
- 文献传递
- 一种汽车座椅模具内支撑件位置视觉检测系统
- 本发明公开了一种汽车座椅模具内支撑件位置视觉检测系统，包括支撑件影像监控设备、线激光器和处理器；支撑件影像监控设备的监控镜头位于支撑件上方且与模具内腔底面平行，线激光器发射的线激光束与模具内腔底面夹角为θ，θ的取值要保证...
- 钟飞吴庆华夏明安
- 文献传递
- 基于遗传算法与二维最大熵的编织袋缺陷检测被引量：4
- 2021年
- 编织袋图像存在的灰度不均匀、噪声污染大等问题影响了缺陷检测的精度和效率,为此,课题组提出一种基于改进遗传算法与二维最大熵的编织袋缺陷快速检测方法。先对编织袋图进行预处理,消除图中存在的背景噪声以及细微像素点;接着利用与二维最大熵结合的改进遗传算法快速选取图像分割的最佳阈值,提高分割速度与精度;最后利用连通域标记对缺陷进行统计与定位。实验结果表明:该方法对编织袋缺陷的分割精度与速度优于迭代阈值法、一维最大熵法以及结合一般遗传算法的二维最大熵法。新方法能够精准、高效地检测出编织袋的质量缺陷。
- 黄露夏军勇吴庆华钟飞
- 关键词：编织袋改进遗传算法二维最大熵连通域
- 五轴数控铣削加工图形仿真技术被引量：15
- 2000年
- 本文提出了五轴铣削加工仿真的实现方法 ,在此基础上实现了五轴切削加工仿真 。
- 范良志张建钢杨光友钟飞
- 关键词：数控加工仿真铣削
- 工业洗衣机模糊控制系统研究
- 根据工业洗衣机特点,探讨了模糊控制系统基本输入量的检测方法及模糊控制器的设计.研究了基于MCS51单片机的工业洗衣机模糊控制系统的实现,给出了控制系统的硬件解决方案,介绍了基于分时操作系统原理的工业洗衣机模糊控制系统软件...
- 杨光友廖冬初张铮张道德苏旭武钟飞
- 关键词：工业洗衣机单片机软件设计
- 文献传递
- 一种架空高压输电线路作业磁力悬浮机器人
- 一种架空高压输电线路作业磁力悬浮机器人，包括两个中心对称于高压导线⑼的可开合悬浮瓦⑻，所述悬浮瓦⑻包括矩形线圈⑷和从内向外依次设置的内衬瓦⑴、磁芯⑵、外衬瓦⑶。其优点是：机器人可悬浮于高压导线之上，机器人与高压导线之间零...
- 徐显金杨光友钟飞汤亮杨小俊季永芹
- 文献传递
- Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究被引量：3
- 2005年
- 针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验。试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作。此项工艺为硅湿法刻蚀加工提供了一条新的技术途径。
- 聂磊史铁林廖广兰钟飞
- 关键词：铬掩模湿法刻蚀
