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徐再林

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：国防科学技术大学计算机学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇抗辐照
  • 2篇存储器
  • 1篇静态存储器
  • 1篇PD_SOI
  • 1篇SOI
  • 1篇SOI工艺
  • 1篇SRAM
  • 1篇PD

机构

  • 2篇国防科学技术...

作者

  • 2篇刘必慰
  • 2篇徐再林
  • 1篇陈川
  • 1篇蒋江
  • 1篇李少青
  • 1篇梁斌
  • 1篇陈书明

传媒

  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇第十二届计算...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于SOI工艺BTS结构的SRAM抗辐照设计与实现
为了满足航天、军事方面对抗辐照的特殊要求,本文使用SOI工艺、BTS结构设计了一款8kbSRAM.本存储器设计主要有三个部分:存储单元、读写控制电路和译码电路.基于一种静态工作的电路,通过对三部分的设计和改进,设计出了一...
徐再林李少青蒋江刘必慰
关键词：存储器SOI工艺
文献传递
基于PD SOI工艺的8Kb抗辐照静态存储器
2009年
SOI工艺具有内在的抗辐照能力,因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0.5μm的PD SOI工艺设计了8Kb的SRAM,并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固。模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns,50MHz下平均功耗小于55.8mW。
刘必慰陈书明梁斌陈川徐再林
关键词：抗辐照PDSOI静态存储器
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共1页<1>
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