胥超
- 作品数：33 被引量：19H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 基于微谐振器的圆片级真空封装真空度测试技术被引量：1
- 2024年
- 针对微电子机械系统(MEMS)圆片级封装腔体体积小、传统的真空封装测试方法适用性差的情况,研制了一种用于表征圆片级真空封装真空度的器件——MEMS微谐振器。利用此谐振器不仅可以表征圆片级真空封装真空度,也可用于圆片级真空封装漏率的测试。采用MEMS体硅工艺和共晶圆片键合技术实现了微谐振器的圆片级真空封装,利用微谐振器阻尼特性建立了谐振器品质因数与真空度的对应关系,通过设计的激励电路实现了微谐振器品质因数的在片测试,对不同键合腔体真空度下封装的MEMS微谐振器进行测试,测试结果显示该微谐振器在高真空度0.1~8 Pa范围内品质因数与真空度有很好的对应关系。
- 胥超王敏杨志
- 关键词：微谐振器品质因数真空度
- 一种应用于图形化SOI材料刻蚀工艺的界面保护方法
- 本发明公开了一种应用于图形化SOI材料刻蚀工艺的界面保护方法，涉及在基片内或其上制造或处理的装置或系统技术领域。包括以下步骤：（1）衬底硅热氧化；（2）SOI空腔的制备；（3）介质保护薄膜制备；（4）硅硅键合；（5）结构...
- 胥超徐永青杨拥军
- 文献传递
- 一种圆片级真空封装结构及其制作方法
- 本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的...
- 胡小东杨志胥超张丹青
- 文献传递
- 硅基磁性材料衬底制备方法
- 本发明公开了一种硅基磁性材料衬底制备方法，涉及采用微电子机械加工技术制作硅基磁性材料衬底的方法技术领域。所述方法包括如下步骤：1）对底层单晶硅片进行双面抛光处理；2）使用光刻及反应离子刻蚀工艺在底层单晶硅片的上表面进行刻...
- 杨志汪蔚胡小东杨拥军徐永青胥超
- 文献传递
- MEMS陀螺在片自动测试系统开发
- 2020年
- 为了快速评估出微机械陀螺的振动性能参数,结合ASIC探针卡,NI数据采集卡,半自动探针台和软件实现了圆片级自动测试,判断出陀螺是否能正常振荡。实验结果表明,该圆片级在片自动测试系统能准确的测量出芯片的振动性能,快速准确的反映出工艺能力,且实现圆片级挑选出不同等级性能的陀螺芯片,对陀螺的设计和生产加工具有重要的促进作用。
- 孙天玲胥超赵阳付兴中杨志
- 关键词：微机械陀螺
- 无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用被引量：2
- 2014年
- 研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优化无氨氮化硅薄膜生长条件和硅腐蚀液温度,得到了高质量的氮化硅薄膜,颗粒以及针孔密度较少,0.2μm以上颗粒度小于100,提高了硅腐蚀掩蔽选择比。实验结果显示优化生长条件的氮化硅薄膜(衬底温度350℃,功率30 W),在85℃的TMAH硅腐蚀液中,硅的腐蚀速率为68μm/h,氮化硅薄膜腐蚀速率为33.2 nm/h,硅与氮化硅的腐蚀选择比为2 048,满足MEMS体硅腐蚀工艺对于掩膜特性的要求。
- 胥超徐永青杨志
- MEMS惯性器件结构设计要求
- 本标准规定了MEMS惯性器件敏感结构的设计要求。本标准适用于硅基MEMS电容式加速度计和振动式陀螺仪敏感结构的设计。
- 徐淑静杨拥军杨志李丽霞任倩婷胥超卢新艳
- MEMS圆片级封装的划片方法
- 本发明公开了一种MEMS圆片级封装的划片方法，涉及微电子机械加工方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在第一晶圆的背面制备划片标记，正面进行常规的MEMS加工工艺，完成圆片级MEMS结构阵列的制备；将上述圆片级MEMS结构...
- 任霄峰胥超杨志徐永青杨拥军
- 文献传递
- 一种圆形芯片的加工方法
- 本发明涉及半导体晶圆芯片的加工方法技术领域，尤其是涉及MEMS圆形芯片的划片技术领域，具体公开了一种圆形芯片的加工方法，晶圆上制备贯通孔得到圆形芯片，芯片之间仅通过带小凹槽的支撑梁连接，芯片的分离仅需切断支撑梁，划片难度...
- 任霄峰胥超何洪涛徐永青
- 文献传递
- 一种圆片级封装结构以及制造方法
- 本发明公开了一种圆片级封装结构以及制造方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片和第二圆片通过键合区键合，第一圆片上设有空腔；第一圆片上设有与每个空腔都相连通的若干个排气通孔，排气通孔...
- 胡小东杨志胥超张丹青
- 文献传递
