您的位置： 专家智库 > >

胡小东

作品数：25 被引量：23H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信机械工程电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 3篇标准

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇机械工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇微机械
  • 8篇微电子
  • 7篇微电子机械
  • 6篇微电子机械系...
  • 6篇键合
  • 5篇滤波器
  • 5篇封装
  • 5篇MEMS
  • 4篇圆片
  • 4篇微机械加工
  • 4篇刻蚀
  • 4篇毫米波
  • 3篇圆片级
  • 3篇圆片级封装
  • 3篇圆片键合
  • 3篇体硅
  • 3篇微机械开关
  • 3篇开关
  • 3篇机械开关
  • 3篇硅基

机构

  • 25篇中国电子科技...
  • 2篇中国人民解放...
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 25篇胡小东
  • 10篇杨志
  • 10篇吕苗
  • 8篇杨拥军
  • 8篇李倩
  • 6篇胥超
  • 4篇徐永青
  • 3篇何洪涛
  • 2篇赵瑞华
  • 2篇郭贺军
  • 2篇赵正平
  • 2篇徐爱东
  • 2篇汪蔚
  • 1篇邹学锋
  • 1篇李丽
  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇吝海锋
  • 1篇肖咸盛

传媒

  • 6篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇中国微米纳米...
  • 1篇中国微米、纳...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
共 25 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
MEMS惯性器件光刻工艺技术要求
本标准规定了MEMS惯性器件制造过程中的光刻的工艺流程、工艺要求和检验要求。本标准适用于采用接近式、接触式和投影式光刻设备的光刻工艺。
胡小东杨志杨拥军卞玉民李丽霞徐爱东赵丕福郑七龙
能够防止“液体桥”粘连的新型硅溶片工艺被引量：3
2002年
硅溶片工艺用于制造MEMS惯性传感器[1]。能够实现高深宽比、导电性好的微机械结构。我所采用这种工艺制造出多种MEMS器件,包括加速度计和陀螺等。但该工艺用于制造垂直动作结构如Z轴加速度计和开关时,成品率不高。主要失效原因是由于EPW腐蚀工艺、去离子水漂洗和释放工艺中出现“液体桥”而引起的粘连。本文提出一种新型硅溶片工艺来防止上述失效。结果证明可以提高成品率和一致性。
郭贺军徐爱东胡小东刘彦青吕苗
关键词：MEMS惯性传感器
一种圆片级真空封装结构及其制作方法
本发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法，涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域；包括第一圆片和第二圆片，第一圆片上设有空腔，第一圆片下部设有键合区，第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合；第二圆片上设有待封装的...
胡小东杨志胥超张丹青
文献传递
基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
本发明公开了一种基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统结构器件的制造。它将低阻硅片和带氧化绝缘层的衬底硅片键合为整体，在低阻硅片上制备微机械结构。它采用硅－硅键合、双...
胡小东吕苗
文献传递
宽范围可调MEMS集成滤波器的设计与制作被引量：1
2011年
基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器。理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用AnsoftDesigner分析软件对可调滤波器电路进行了模拟仿真。设计得到的可调滤波器中心频率调节范围为400～700MHz,可调率达75%,实现了宽范围可调,3dB相对带宽范围为5%～10%,插入损耗小于5dB,芯片尺寸为20mm×6mm×0.4mm。给出了一套基于MEMS平面工艺的MEMS集成可调滤波器的制作流程,实现了MEMS集成可调滤波器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的可调滤波器实现了通带频率宽范围可调。
杨志杨拥军李倩胡小东
关键词：滤波器微机械加工
硅基多层腔体滤波器
本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器，由两层以上介质层上下叠加组成，在每层介质层上均设有通孔，在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层；相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层，在所述中间金属层上...
杨志杨拥军胡小东李倩
文献传递
硅基多层腔体滤波器
本发明公开了一种硅基多层腔体滤波器，由两层以上介质层上下叠加组成，在每层介质层上均设有通孔，在通孔的内壁上设有经硅微机械加工技术形成的内壁金属层；相邻两介质层之间设有经硅微机械加工技术形成的中间金属层，在所述中间金属层上...
杨志杨拥军胡小东李倩
正面体硅工艺及其在光开关、加速度计中的应用研究
工艺简单是正面体硅工艺的最大优点,不需要硅-玻璃键合,缩短了工艺流程,并极大的缩短了高温扩散时间(只需0.5~1h),减小了扩散应力对器件的影响,提高了成品率.结构与衬底采用反偏p<'++>-n结隔离,隔离电压350~4...
徐永青杨拥军胡小东何洪涛
关键词：微机械体硅工艺光开关加速度计
文献传递
X波段MEMS可变电容的设计与制作
2008年
对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现。该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法。用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,随着驱动电压的变化,电容上极板产生位移变化,电容值相应地发生变化;设计了相应的工艺流程,实现了X波段MEMS可变电容的工艺制作和测试,该工艺与集成电路工艺兼容。S参数测试结果表明,在9GHz时Q值可达32.5,电容调节范围为28.8%。
李倩胡小东李丽
关键词：可变电容压控振荡器Q值静电力射频微机电系统
射频微机械移相器被引量：3
2004年
　 MEMS 技术显示了其在微波领域的巨大应用潜力。利用 RF　MEMS　 开关制造的 RF　MEMS 移相器具有插损小、功耗低、宽带宽、体积小等优点,因此成为研究的热点。本文对国际上 R F 　 M E M S的研究和发展进行了比较全面的综述,并介绍了 DMTL 移相器,该移相器在 DC￣30GHz 范围内具有较好的线性度,在20GHz 时相移为0°/11.6°　/32.6°/48.5°,反射损失好于-11dB,插损小于 -1.8dB。最后分析了各种移相器的特点和设计、制造的难点,对 MEMS　 移相器的发展进行了展望。
娄建忠赵正平杨瑞霞吕苗胡小东
关键词：移相器插损MEMS宽带线性度带宽
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0