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陈然

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：天津市科技计划天津市高等学校科技发展基金计划项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇SIO
  • 1篇SIOX薄膜
  • 1篇CU
  • 1篇存储器
  • 1篇X

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇王建云
  • 1篇周立伟
  • 1篇张楷亮
  • 1篇赵金石
  • 1篇吕联荣
  • 1篇蒋浩
  • 1篇陈然
  • 1篇陈长军
  • 1篇邵兴隆

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于Cu/SiO_x/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究被引量：1
2014年
采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力.在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同:阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F(Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制.根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.
陈然周立伟王建云陈长军邵兴隆蒋浩张楷亮吕联荣赵金石
关键词：SIOX薄膜
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