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邵兴隆
作品数:
6
被引量:1
H指数:1
供职机构:
天津理工大学
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发文基金:
天津市科技计划
天津市高等学校科技发展基金计划项目
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相关领域:
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合作作者
赵金石
天津理工大学电子信息工程学院
陈长军
天津理工大学电子信息工程学院
周立伟
天津理工大学电子信息工程学院
马辰铭
天津理工大学
陈然
天津理工大学电子信息工程学院
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基于铜的二氧化钛固态电解质阻变特性与机理的研究
随着市场对高容量、低功耗、具有快速存储能力的存储器需求的增加,非挥发性存储器(NonvolatileMemory)在半导体工业中得到了广泛的应用。目前市场主流的非挥发存储器FlashMemory随着工艺技术的提高已经接近...
邵兴隆
关键词:
二氧化钛
固态电解质
文献传递
一种多阻态阻变存储器
一种多阻态阻变存储器,以Ti/Si为基底,由惰性金属底电极层、电阻转变层和活泼金属顶电极层依次叠加组成的基于金属氧化物材料的MIM类三明治结构;给活泼金属顶电极层施加正向电压,在电场作用下电阻转变层内部形成树突状导电丝以...
赵金石
邵兴隆
马辰铭
周立伟
陈长军
文献传递
一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器
一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器,由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成,下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属,诱导层I为N型氧化物,诱导层II为P型氧化物,上电极为在电场作用...
赵金石
邵兴隆
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一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器
一种自发生长金属纳米晶颗粒的P/N型叠层阻变存储器,由下电极、诱导层I、诱导层II和上电极依次叠层构成,下电极为在正向电场作用下易于被氧化为金属离子的金属,诱导层I为N型氧化物,诱导层II为P型氧化物,上电极为在电场作用...
赵金石
邵兴隆
一种多阻态阻变存储器
一种多阻态阻变存储器,以Ti/Si为基底,由惰性金属底电极层、电阻转变层和活泼金属顶电极层依次叠加组成的基于金属氧化物材料的MIM类三明治结构;给活泼金属顶电极层施加正向电压,在电场作用下电阻转变层内部形成树突状导电丝以...
赵金石
邵兴隆
马辰铭
周立伟
陈长军
文献传递
基于Cu/SiO_x/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究
被引量:1
2014年
采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力.在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同:阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F(Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制.根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.
陈然
周立伟
王建云
陈长军
邵兴隆
蒋浩
张楷亮
吕联荣
赵金石
关键词:
SIOX薄膜
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