黄燕
- 作品数：18 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 红外光电子材料碲镉汞异质外延结构理论研究被引量：1
- 2005年
- 文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究。首先选择Hg0.5Cd0.5Te体系详细分析了Hg空位引起的弛豫,包含Hg空位缺陷体系的电荷密度、成键电荷密度和态密度,得到了碲镉汞材料形成Hg空位情况下的空位第一近邻阴离子悬挂键重整的形式以及Hg空位所形成的双受主能级。计算发现了Hg空位引起第一近邻Te原子5s态能级向高能端移动的现象。同时,对实验中通常利用As钝化基底表面来有效地控制外延生长的极性进行了研究。本文也介绍了基于密度泛函理论模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步研究探讨。对Cd、Te在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究分析,为外延生长实验中利用As钝化来保证B面极性的做法提供了一定的理论依据。
- 陈效双孙立忠黄燕段鹤陆卫
- 关键词：碲镉汞第一性原理方法镉吸附
- As钝化Si(211)表面上Cd、Te原子行为的第一性原理研究被引量：1
- 2005年
- 文章采用基于密度泛函理论的CASTEP计算软件模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步探讨。同时,对Te、Cd在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究。计算结果表明,单个Cd或Te原子都可以稳定地吸附在清洁表面,但在As钝化表面,难以在钝化区域吸附生长。
- 黄燕周孝好孙立忠段鹤陈效双陆卫
- 关键词：碲镉汞钝化
- 新兴专业LED光源特性检测实验室的建设与思考
- 2012年
- 文章结合新兴专业光信息科学与技术专业特点，阐述了光信息专业LED光源特性检测实验室的建设思路、建设过程和实际效果，希母出了下一步的建议方向。
- 范喆王勇黄燕
- 关键词：光信息科学与技术
- 掺杂对金属-MoS2界面性质调制的第一性原理研究被引量：5
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,计算了卤族元素掺杂对金属-MoS_2界面性质的影响,包括缺陷形成能、电子能带结构、差分电荷密度以及电荷布居分布.计算结果表明:卤族元素原子倾向于占据单层MoS_2表面的S原子位置;对于单层MoS_2而言,卤族元素的掺杂将在禁带中引入杂质能级以及导致费米能级位置的移动.对于金属-MoS_2界面体系,结合Schottky-Mott模型,证明了卤族元素的掺杂可以有效地调制金属-MoS_2界面间的肖特基势垒高度.发现F和Cl原子的掺杂将会降低体系的肖特基势垒高度.相比之下,Br和I原子的掺杂却增大了体系的肖特基势垒高度.通过差分电荷密度和布居分布的分析,阐明了肖特基势垒高度的被调制是因为电荷转移形成的界面偶极矩的作用导致.研究结果解释了相关实验现象,并给二维材料的器件化应用提供了调节手段.
- 陶鹏程黄燕周孝好陈效双陆卫
- 关键词：肖特基势垒二硫化钼掺杂密度泛函理论
- Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响
- 2011年
- 利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.
- 张蕾邢怀中黄燕张会媛王基庆
- 关键词：第一性原理磁性
- 交换关联势对PbS晶格常数和能带结构影响的第一性原理研究被引量：1
- 2008年
- 基于第一性原理总能量平面波全势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)等不同的交换关联势,计算了体心结构PbS的总能,并给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势对能带结构、态密度、分态密度及能隙的影响.与面心结构PbS结果对比,能量的计算结果表明,面心结构PbS较体心结构更稳定.另外,体心结构PbS的能带计算结果表明存在能隙,这与同族铅盐化合物中存在能隙的实验结论一致.上述PbS的计算结果有助于实验研究.
- 邢怀中丁宗玲黄燕梁二军陈效双
- 关键词：态密度PBS
- 长波HgCdTe红外探测器的暗电流机理研究进展被引量：8
- 2015年
- 介绍了HgCdTe红外探测器的发展历程,详细分析了长波HgCdTe红外探测器的暗电流机制、采用同时拟合方法对暗电流参数进行提取与分析,介绍了为降低暗电流的一些新的研究进展。
- 陈效双许娇胡伟达王俊陈勇国黄燕周孝好陆卫
- 关键词：暗电流
- Al原子在Si表面扩散动力学的第一性原理研究被引量：1
- 2019年
- 为了更好地在Si衬底上外延生长GaN薄膜,需要先生长缓冲层(如AlN),其中能否对起始的金属Al层实现可控生长,将决定最终外延层的材料质量.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,理论上模拟计算了金属Al原子分别在清洁的、H原子和Cl原子钝化的Si(100)及Si(111)表面的吸附及扩散动力学行为.研究结果显示,在清洁的Si(100)表面上, Al原子易于吸附在沟槽中Tr位点,沿沟槽呈曲折状扩散;在H钝化、Cl钝化的Si(100)表面上, Al原子易于吸附在二聚体列顶部的H位置,在二聚体列顶部沿直线扩散.在不同方式处理的Si(111)表面, Al原子的最稳定吸附位置相同,均易吸附于第二层Si原子的Top位(T4位点),扩散路径类似,均沿T4到H3 (空心位点)的路径扩散.无论是Si(100)还是Si(111)表面, H钝化、Cl钝化处理Si表面均有效降低Al原子的扩散能垒,使Al原子更容易在二维表面上扩散,并通过吸附能的比较以及差分电荷密度图分析,讨论了不同Si表面状态对金属Al原子吸附和扩散行为调制的物理机制.
- 张恒黄燕石旺舟周孝好陈效双
- 关键词：AL密度泛函理论扩散
- 交换关联势对PbS电子结构的影响
- 2007年
- 基于第一性原理总能量平面波全势方法,采用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)的不同的交换关联势,分别计算面心结构(NaCl结构)PbS的总能,并给出了体系平衡时的晶格常数.讨论了不同交换关联势对晶格常数的影响;分析了体系平衡时的能带结构、能隙、态密度和分波态密度.结果表明交换关联对电子结构有显著影响.
- 胡兆东邢怀忠黄燕陈效双梁二军
- 关键词：PBS态密度
- 碲镉汞材料中的本征复合缺陷研究
- 碲镉汞(HgCdTe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有禁带宽度可调、量子效率高等优势,使其在红外探测器件的制备中得到广泛应用.然而,HgCdTe材料在生长过程中容易产生汞空位(VHg)、碲反位(TeHg)[1]等缺陷...
- 王子言黄燕陈效双陆卫
