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夏庚培

作品数:33 被引量:56H指数:5
供职机构:四川大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

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  • 2篇学位论文
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领域

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  • 2篇性能研究
  • 2篇太阳电池性能
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机构

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作者

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传媒

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年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 7篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CdTe太阳能电池的制备及电子辐照对电池影响的研究被引量:5
2004年
作者将用共蒸发法制备的ZnTe/ZnTe∶Cu复合多晶薄膜作为背接触层,获得了转换效率为13.38%的CdTe多晶太阳能电池.用光强为100mW/cm2的卤钨灯对电池光照7d后,发现性能无明显变化.该电池经能量为1.6MeV,辐照注量为1013~1015电子/cm2的电子束辐照后,其性能有不同程度的下降,但经真空下150℃退火后,又恢复到接近辐照前的值.
夏庚培郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵李卫武莉莉
关键词:光照辐照
CdTe多晶薄膜的制备及后处理研究
CdTe具有良好的光电学性质和化学性质,因此成为制备高效率、低成本的多晶薄膜太阳电池理想的吸收层材料。然而,制备高效CdTe/CdS多晶薄膜太阳电池的关键之一是要获得高质量的CdTe多晶薄膜。于是,本文针对CdTe薄膜,...
夏庚培
关键词:CDTE薄膜太阳能电池
文献传递
具有复合背接触层的CdTe多晶薄膜太阳电池(英文)
2005年
为了提高CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe多晶薄膜。研究结果表明:Cd1-xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系,ZnTe:Cu多晶薄膜能隙随着掺Cu浓度的增加而减小。分别用ZnTe/ZnTe:Cu和Cd1-xZnxTe/ZnTe:Cu复合膜作为背接触层,既能修饰异质结界面,改善电池的能带结构,又能防止Cu原子向电池内部扩散。因此获得了面积0.502cm2,转换效率为13.38%的CdTe多晶薄膜太阳电池。
覃文治郑家贵李卫蔡伟冯良桓蔡亚平黎兵张静全武莉莉夏庚培
关键词:复合背接触层能隙
AlSb多晶薄膜的结构和电学性能研究
本文采用共蒸法制备出了新型薄膜太阳电池材料——AlSb多晶薄膜。通过XRF、XRD、Hall测试及电导率温度关系等研究了AlSb多晶薄膜的组分、结构、掺杂类型等。分析表明,刚沉积的AlSb薄膜为非晶相,退火后,随着退火温...
宋慧瑾武莉莉郑家贵冯良桓雷智张静全贺剑雄夏庚培
文献传递
大面积CdTe多晶薄膜的制备及其性能被引量:2
2007年
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300mm×400mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且薄膜总体致密均匀,晶粒大小约为1μm左右。用此大面积CdTe薄膜的不同部分制备的CdS/CdTe/ZnTe:Cu小面积太阳电池效率相差不大,说明薄膜的均匀性较好。
蒋显辉郑家贵黎兵夏庚培武莉莉冯良桓蔡伟张静全李卫雷智
关键词:CDTE薄膜
氧对于在Ar/O氛围下用近空间升华法制备的CdS薄膜的影响被引量:3
2009年
采用近空间升华法(CSS)在氩/氧气氛中制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.利用XRD,XPS,AFM,UV-VIS光谱和四探针技术等测试和分析手段系统研究了氧对薄膜的成分、结构、光学和电学等性质的影响.结果表明,用近空间升华法制备的CdS薄膜具有六方相结构,膜层致密、均匀,平均晶粒大小约为40 nm,富硫.氧掺入后部分与镉生成氧化镉,并随着氧含量的增加,薄膜的成分有趋于化学计量比的趋势,光学带隙加宽,光暗电导比增加.此外,还利用扫描电镜(SEM)观察了CdS/CdTe断面结合光谱响应(QE)的结果讨论了氧对CdS/CdTe界面互扩散的影响.发现,随着CdS薄膜制备气氛中氧分压的升高,CdS/CdTe界面的互扩散程度降低,有利于提高器件在500—600 nm波长范围内的光谱响应.认为,氧含量的增加不但使CdS薄膜在光伏应用方面的质量得到改善,而且CdTe太阳电池器件中的CdS/CdTe界面也得到了优化.
夏庚培冯良桓蔡亚平黎兵张静全郑家贵卢铁城
AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究被引量:2
2010年
采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能。结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤。通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施。
贺剑雄武莉莉郑家贵夏庚培冯良桓张静全李卫黎兵
关键词:ALSB退火磁控溅射法
CuxTe背接触层对CdTe光伏器件性能的影响
2009年
研究了由共蒸发制备出的CuTe多晶薄膜的性能及其对CdTe光伏器件性能的影响。研究表明,刚沉积的CuTe薄膜为非晶相,退火后,随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变,其中Cu/Te为1:1.44的薄膜多晶转变最为明显,结晶度较高。以CuTe结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触层电池,性能改善不显著,转换效率随膜厚的增加呈递减趋势;以Cu1.44Te结构为主相的CuxTe薄膜作为背接触电池,转换效率有极大提升,在膜厚40nm处电池呈现最高转换效率;Cu2Te为背接触主相的电池相对于Cu1.44Te为背接触主相的电池,器件性能略有下降,但优于CuTe为背接触主相的电池。
宋慧瑾郑家贵冯良桓夏庚培王文武贺剑雄李愿杰鄢强
关键词:太阳电池材料
真空共蒸发法制备Cu_xTe薄膜的结构特性分析
2008年
用真空共蒸发法制备了CuxTe(1≤x≤2)薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)及原子力显微镜(AFM)等表征手段分析了薄膜的结构特性,研究了热处理对不同Cu/Te配比的样品物相转变的影响。结果发现:刚沉积的薄膜非晶结构占主导地位,只有部分低Cu/Te比的薄膜出现多晶结构;退火后,薄膜发生晶相转变,且随着退火温度的升高,不同配比的样品有着不同程度的物相转变。其中,较低配比(x=11、.44)的样品多晶转变较为明显,结晶度较高,说明较小x值的薄膜晶化温度较低,而高x值的薄膜晶化温度较高。用CuxTe薄膜作为背接触层,获得了效率为12.5%的CdS/CdTe小面积太阳电池。
吴晓丽夏庚培郑家贵李卫冯良桓武莉莉张静全黎兵雷智
关键词:退火
碲化镉薄膜太阳电池的制造技术
冯良桓蔡亚平张静全黎兵蔡伟武莉莉李卫郑家贵雷智曾广根夏庚培王文武贺剑雄宋慧瑾李愿杰
①课题来源与背景  主要来自国家“十五”863计划能源技术领域的两个重点课题,一是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号:2001AA513010);二是“碲化镉薄膜太阳电池的制造技术及中试生产线”(编号:2...
关键词:
关键词:碲化镉太阳电池
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