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崔宁

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 21篇晶体管
  • 21篇沟道
  • 13篇隧穿
  • 8篇栅结构
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇栅介质
  • 5篇半导体
  • 5篇掺杂
  • 4篇应力
  • 4篇栅极
  • 4篇平准
  • 4篇驱动电流
  • 4篇介质层
  • 4篇局部应力
  • 4篇集成度
  • 4篇功函数
  • 3篇导电类型
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇堆叠

机构

  • 24篇清华大学

作者

  • 24篇崔宁
  • 23篇梁仁荣
  • 23篇王敬
  • 23篇许军

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 11篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的沟道区，其中，所述半导体衬底上未形成所述沟道区的区域形成有...
崔宁梁仁荣王敬许军
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一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法
本发明提供一种耐高压隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成在所述半导体衬底中，所述沟道区包括一个或多个STI；第一埋层和第二埋层，形成在所述半导体衬底中且分别位于所述沟道区两侧，所述第一埋层为...
崔宁梁仁荣王敬许军
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具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成...
崔宁梁仁荣王敬许军
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一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法
本发明提出了一种耐高压的隧穿晶体管及其制备方法，该隧穿晶体管包括漏极，外延层，埋层，源极，栅介质，栅极，源极金属层和漏极金属层。本发明隧穿晶体管能够提高器件在关态下的耐击穿能力，降低器件的导通电阻，减小大电流下的功耗，提...
崔宁梁仁荣王敬许军
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具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构及其形成方法
本发明提出一种具有悬空源漏的隧穿场效应晶体管结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的多个凸起结构，其中，每两个凸起结构之间具有一定间隙；形成在所述每两个凸起结构之间，且与所述两个凸起结构顶部相连的悬空层，其中，所述凸起结构...
崔宁梁仁荣王敬许军
具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：衬底；形成在所述衬底中的沟道区；形成在所述衬底中、所述沟道区两侧的源区和漏区，所述源区为第一类型重掺杂所述漏区为第二类型重掺杂；和形成在所述衬底上的...
崔宁梁仁荣王敬许军
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具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有异质栅介质的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：衬底；形成在衬底中的沟道区以及沟道区两侧的掺杂类型相反的源区和漏区；形成在沟道区上的栅介质层和位于栅介质层上的栅极，栅介质层包括靠近源区的第一段栅介...
崔宁梁仁荣王敬许军
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具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的源区或漏区，其中，所述源区或漏区具有第一掺杂类型，所述半导体衬底上未形成所述源区或漏区的区域形成有绝缘层...
崔宁梁仁荣王敬许军
具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种具有异质栅极功函数的隧穿场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底之中的沟道区，以及形成在所述沟道区两侧的源区和漏区，其中，所述源区和漏区的掺杂类型相反；和形成在沟道区之上的栅堆叠，其中，栅堆叠包括栅介质层，...
梁仁荣崔宁王敬许军
具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法
本发明提供一种具有水平准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的源区或漏区，其中，所述源区或漏区具有第一掺杂类型，所述半导体衬底上未形成所述源区或漏区的区域形成有绝缘层...
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