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秦福

作品数：14 被引量：23H指数：2
供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 8篇单晶
  • 6篇硅单晶
  • 4篇坩埚
  • 4篇晶体
  • 4篇半导体
  • 3篇熔体
  • 3篇晶体生长
  • 2篇单晶硅
  • 2篇液面
  • 2篇直拉法
  • 2篇直拉硅
  • 2篇直拉硅单晶
  • 2篇熔体流动
  • 2篇拉制
  • 2篇棱锥
  • 2篇半导体材料
  • 2篇硅
  • 2篇掺杂
  • 2篇掺杂剂
  • 2篇磁场

机构

  • 13篇北京有色金属...
  • 1篇清华大学

作者

  • 14篇秦福
  • 5篇李英春
  • 4篇张果虎
  • 3篇方锋
  • 3篇常青
  • 3篇万群
  • 3篇吴志强
  • 2篇孙茂友
  • 2篇郝玉清
  • 2篇万群
  • 1篇尤重远
  • 1篇万关良
  • 1篇刘莉
  • 1篇王健伟
  • 1篇屠海令
  • 1篇陈开茅
  • 1篇刘鸿飞
  • 1篇李兵
  • 1篇钱佩信
  • 1篇周旗钢

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇稀有金属
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇上海金属（有...

年份

  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 2篇1990
  • 2篇1989
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
对坩埚中硅熔体自由表面流的研究
1989年
本文采用观察熔硅自由表面上标记物体移动方式的方法研究了坩埚中自由表面层熔体的流动。提出了熔体中杂质传输的新看法。实验结果证实了自由表面层熔体流动对杂质在晶体中分布的影响。
李英春万群秦福
关键词：坩埚硅熔体
非晶硅在硅片吸除技术中的应用研究
1998年
本文研究了一种新的、具有实际应用价值的硅片吸除技术．该技术包括利用ＰＥＣＶＤ法在腐蚀硅片背面沉积４００～８００ｎｍ厚的非晶硅膜，再经过６５０～６８０℃温度的热处理，使沉积膜与硅片结合更牢固，之后，把硅片进行抛光．结果表明，该技术能有效地消除硅抛光片表面的雾缺陷，同时硅片表面层少子寿命可提高２～４倍．
刘莉秦福
关键词：半导体硅片非晶硅PECVD法吸除技术
Φ125mm硅单晶的控氧技术被引量：1
1997年
Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...
张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福
关键词：坩埚单晶硅单晶炉
HMCZ法熔体状态的研究
孙茂友万群秦福
关键词：单晶熔体晶体生长磁拉法半导体材料磁场强度
Φ125mm直拉硅单晶氧径向均匀性研究
1998年
为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。
郝玉清张果虎常青方锋吴志强万关良秦福
关键词：硅单晶
采用温度测量的方法对直拉法熔体流动的研究
1992年
本文通过温度测量实验,对直拉法硅熔体流动状态及强度进行了研究。证明熔体的温度梯度及热对流强度随熔体深度的减小而减小,并讨论了熔体对流对硅单晶中氧含量的影响。
王健伟万群秦福
关键词：单晶硅直拉法温度测量熔体流动
直拉硅单晶中热施主的快速热退除被引量：2
1995年
本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．
栾洪发张果虎李兵陈学清秦福钱佩信
关键词：单晶拉制硅
扫描隧道显微镜重掺硅（111）表面微缺陷研究被引量：1
1996年
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远比晶体生长过程产生的微缺陷多；粗糙度约为几个纳米的大面积平整区域与面积虽小但缺陷密度很高而且无规则分布的微区共存．微缺陷密度与晶体完整性、掺杂浓度和抛光条件有关．轻掺锑硅（１１１）表面相对平整，微结构尺寸较大（１００ｎｍ左右）边缘较平滑；重掺锑硅表面微缺陷密度很高，结构复杂，平整度明显降低．表面机械损伤，杂质条纹，过腐蚀等缺陷密度通过优化表面抛光条件可以有效降低或避免．
刘鸿飞秦福朱悟新尤重远陈开茅
关键词：扫描隧道显微镜
制备半导体单晶用的双层坩埚
本实用新型涉及半导体生长用的双层坩埚，它由内、外坩埚组成，内坩埚环状壁为倒置的截圆锥筒状、截棱锥筒状其中的一种，内坩埚上口直径(指拉晶尚未进行时液面处的内坩埚直径)为外坩埚直径的<Image file="91204133...
王体虎秦福李英春
文献传递
MCZ法生长硅单晶技术
秦福李英春王体虎
关键词：半导体材料单晶晶体生长晶体缺陷磁拉法
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共2页<12>
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