武兴会 作品数:12 被引量:10 H指数:2 供职机构: 华中科技大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重大科学仪器设备开发专项 河南省杰出人才创新基金 更多>> 相关领域: 一般工业技术 电子电信 机械工程 自动化与计算机技术 更多>>
一种多孔纳米压印模板及其制备方法 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法,包括:制备表面镀有铝膜的衬底;对衬底进行阳极氧化和扩孔,氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长;对样片进行ICP刻蚀,再去除掩膜材料后即得纳米压印模板;ICP刻蚀分为... 孙堂友 徐智谋 张铮 赵文宁 武兴会 刘思思 马智超 张学明 王双保文献传递 一种纳米压印模板及其制备方法和应用 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法,用于制作具有表面高增透性能的微结构,以用于光学器件,该方法包括:制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤;对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤;和对经氧化扩孔处理... 孙堂友 徐智谋 张铮 赵文宁 武兴会 刘思思 马智超 张学明 王双保文献传递 纳米结构光/电器件的制备机理与性能调控 徐智谋 沈国震 武兴会 赵文宁 孙堂友 通过纳米结构来设计和制备光/电器件,可大幅提高器件的性能。项目团队,自2007年以来,在五项国家自然科学基金的资助下,对纳米结构光/电器件进行了研究,形成了系统的纳米结构光/电器件制备机理和性能调控方法。 8篇代表作在A...关键词: 一种纳米压印模板及其制备方法和应用 本发明公开了一种纳米压印模板的制备方法,用于制作具有表面高增透性能的微结构,以用于光学器件,该方法包括:制备衬底并在衬底表面镀膜的步骤;对镀膜的衬底进行阳极氧化并进行扩孔处理以形成多孔氧化铝表面的步骤;和对经氧化扩孔处理... 孙堂友 徐智谋 张铮 赵文宁 武兴会 刘思思 马智超 张学明 王双保磁控溅射法制备氧化铜纳米线阵列薄膜及其气敏性质 被引量:6 2011年 通过磁控溅射法在掺氟二氧化锡导电玻璃(FTO)衬底上溅射金属铜薄膜,所制备的Cu薄膜在管式炉中退火氧化生长得到CuO纳米线阵列薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对其形貌和结构进行了表征,并研究了这种通过磁控溅射得到的CuO纳米线阵列薄膜对CO和H2S的气敏性质.研究结果表明,CuO纳米线阵列薄膜在250℃时对CO气体具有最强的气敏响应,并且当CO浓度增大时其气敏响应明显增强.而对于H2S气体,在常温下CuO纳米线阵列薄膜能够对低浓度的H2S气体响应,说明这种CuO纳米线阵列薄膜可以在常温、低浓度下探测H2S气体;而当测试温度升高时,其电阻值在H2S气体氛围中迅速减小.我们对这种异常的电阻变化现象进行了解释. 乔振聪 程轲 袁占强 武兴会 庞山 王广君 万绍明 杜祖亮关键词:磁控溅射 气敏性质 单根ZnO纳米线肖特基势垒紫外探测器的制备方法 单根ZnO纳米线肖特基势垒紫外探测器的制备方法,属于光电器件领域,其步骤包括:在光学显微镜的监控下将一对贵金属电极在基底上一字排开并定位,两电极近端相距1-5μm,远端分别通过导线与波形发生器相连;将分散有ZnO纳米线的... 杜祖亮 武兴会 程纲文献传递 基于光谱椭偏仪的纳米光栅无损检测 被引量:1 2014年 本文制备了硅基和光刻胶两种材料的纳米光栅,利用光谱椭偏仪对该纳米结构的光栅进行了测量,随后利用建立的拟合模型对其测量数据进行了拟合,结果证明了运用该仪器进行纳米光栅结构无损检测的可行性,在入射角60?,方位角75?的测量条件下,纳米结构关键尺寸、侧壁角等三维形貌参数的测量精度最大可达99.97%,该技术对于无损检测有着一定的推动意义. 马智超 徐智谋 彭静 孙堂友 陈修国 赵文宁 刘思思 武兴会 邹超 刘世元关键词:纳米压印 光栅 无损检测 钛酸锶钡纳米管的制备及其红外吸收性能研究 2015年 首次采用溶胶凝胶法结合通孔阳极氧化铝模板,成功制备出了钛酸锶钡纳米管.该制备工艺简单、易实现而且成本低.首先制备通孔阳极氧化铝模板和钛酸锶钡溶胶,然后通过浸渍加上匀胶的方法将钛酸锶钡溶胶引入到通孔阳极氧化铝模板的纳米孔洞中,最后在650C下煅烧1 h形成钛酸锶钡纳米管.X射线衍射(XRD)证明,制得的钛酸锶钡纳米管为立方钙钛矿相,主要沿(110)晶向生长.扫描电子显微镜(SEM)显示,钛酸锶钡纳米管外径、内径和管长分别为75 nm,50 nm,16μm.傅里叶变换显微红外光谱仪(FTIR)测试结果表明在波数为1350—1650 cm 1红外波段,阳极氧化铝/钛酸锶钡纳米管复合结构较钛酸锶钡薄膜有两处明显的吸收峰,吸收峰位于1470和1550 cm 1处,与通孔阳极氧化铝模板相比其吸收峰强度高出一倍,最后分析了出现这一现象的可能原因. 邹超 徐智谋 马智超 武兴会 彭静关键词:溶胶凝胶 红外吸收 透明及柔性金属氧化物薄膜阻变存储器研究 随着半导体工艺不断向前推进,尤其是进入22nm工艺节点之后,浮栅、沟道和介电层等比例缩小带来物理和技术上的极限,将使得硅基flash半导体存储器面临巨大的挑战,发展新型非易失性存储器迫在眉睫。作为下一代非易失性存储器的有... 武兴会关键词:电阻开关 存储器设计 文献传递 一种多孔纳米压印模板及其制备方法 本发明公开了一种孔洞纳米压印模板的制备方法,包括:制备表面镀有铝膜的衬底;对衬底进行阳极氧化和扩孔,氧化时间为阳极氧化开始到衬底表面开始变色所需时长;对样片进行ICP刻蚀,再去除掩膜材料后即得纳米压印模板;ICP刻蚀分为... 孙堂友 徐智谋 张铮 赵文宁 武兴会 刘思思 马智超 张学明 王双保文献传递