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韩名君

作品数:25 被引量:21H指数:3
供职机构:安徽工程大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇自然科学总论
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电势
  • 6篇容错
  • 6篇MOSFET
  • 4篇电路
  • 4篇亚阈值
  • 4篇容错结构
  • 4篇教学
  • 4篇沟道
  • 4篇蜂窝
  • 4篇TSV
  • 3篇阈值电压
  • 3篇半解析
  • 3篇半解析法
  • 3篇超短
  • 2篇单环
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇亚阈值电流
  • 2篇硬件开销

机构

  • 12篇安徽工程大学
  • 11篇安徽大学
  • 5篇芜湖职业技术...
  • 3篇芜湖信息技术...
  • 1篇芜湖信息技术...

作者

  • 25篇韩名君
  • 7篇代广珍
  • 6篇瞿成明
  • 6篇鲁麟
  • 6篇朱世东
  • 5篇柯导明
  • 4篇高文根
  • 3篇张同华
  • 2篇王保童
  • 2篇王敏
  • 1篇周群利
  • 1篇陶玉贵
  • 1篇李长波
  • 1篇葛胜升
  • 1篇陈素芹
  • 1篇李晓辉
  • 1篇钱峰
  • 1篇迟晓丽
  • 1篇孟坚
  • 1篇濮荣强

传媒

  • 2篇电子学报
  • 2篇科技信息
  • 2篇科技视界
  • 1篇物理学报
  • 1篇安徽大学学报...
  • 1篇长春大学学报
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇长春师范学院...
  • 1篇长江大学学报...
  • 1篇宿州学院学报
  • 1篇铜陵职业技术...
  • 1篇中国科学:信...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2008
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
嵌入式芯片汇编语言结构化编码设计的研究被引量:1
2011年
为提高嵌入式芯片汇编语言编码设计的水平,克服因语句结构本身的非结构化及存储分配的随意性所造成的困难,根据软件工程中结构化设计的规范,以MCS-51单片机汇编语言为例,提出了可操作性的解决方案:针对语句的结构,设计与结构化盒图等效的程序流程图和语句结构体,构建出结构化的选择结构和循环结构;针对存储的分配,设计依据程序之间的调用关系,同层共享非同层独享的变量存储空间分配策略。
张同华韩名君
关键词:结构化程序设计嵌入式芯片汇编语言
基于分时复用的TSV蜂窝单环结构、TSV蜂窝多环结构及容错方法
本发明公开了一种TSV蜂窝单环容错结构及容错方法、TSV蜂窝多环容错结构,TSV蜂窝单环容错结构分为上层Die2和下层Die1,下层Die1包含Routing路由模块,上层包括Rerouting路由模块;Routing路...
倪天明杨兆鲁麟朱世东瞿成明韩名君张肖强
文献传递
亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型被引量:1
2013年
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合.
孟坚柯导明韩名君
关键词:阈值电压
基于忆阻器和CMOS晶体管的全加电路、高进位电路及加法器
本发明公开的基于忆阻器和CMOS晶体管的加法器,包括:m个全加电路,以及m个高进位电路;其中,第i个全加电路的非门1、非门2及非门3的输出端分别连接第i个高进位电路的两输入或非门1及两输入或非门2、两输入或非门1及两输入...
韩名君代广珍赵振宇宋兴文吴道华倪天明
基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型
2014年
随着器件工艺的更新,亚阈值电流对MOSFET的亚阈值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二维电势模型,计算量小但是误差大。基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下,热电子发射电流已经无法忽略,因而考虑了热电子发射电流并联的影响,最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比,验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阈值区的电流。
韩名君李长波钱峰陶玉贵
关键词:MOSFET亚阈值电流
一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构,由N层环形结构组成,在最外层环形结构中的六边形中心处都设有一个冗余TSV,利用六边形这种灵活且稳定的结构排列所有TSV,合理的摆放冗余TSV的位置和...
倪天明姚瑶鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东
文献传递
基于分时复用的TSV蜂窝单环结构、TSV蜂窝多环结构及容错方法
本发明公开了一种TSV蜂窝单环容错结构及容错方法、TSV蜂窝多环容错结构,TSV蜂窝单环容错结构分为上层Die2和下层Die1,下层Die1包含Routing路由模块,上层包括Rerouting路由模块;Routing路...
倪天明杨兆鲁麟朱世东瞿成明韩名君张肖强
文献传递
交叉背接触异质结(IBC-SHJ)太阳能电池模型参数的仿真与优化
2020年
本文对IBC-SHJ电池背面的几何尺寸进行二维仿真和优化,得到缓冲层、发射极和背面场对J-V特性的影响,以及FF因子的变化,结论表明缓冲层获得最佳效率的宽度值为10nm附近,发射极宽度的效率最优值约为3mm。
韩名君魏雪晴
关键词:异质结缓冲层发射极
校企合作模式下单片机课程的教学改革被引量:2
2013年
本文分析了目前高职院校的单片机课程改革的现状,然后提出了在校企合作模式下订单班单片机课程教学改革的具体方法。文中重点提出了校企联合制定教学计划,共同提供软件师资和硬件设施,并改进教学方法,使学生能够适应岗位需求,为企业培养出高素质的应用型人才。
韩名君高伟周群利
关键词:单片机课程改革校企合作
一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构
本发明适用于半导体技术领域,提供了一种基于蜂窝的TSV聚簇故障容错结构,由N层环形结构组成,在最外层环形结构中的六边形中心处都设有一个冗余TSV,利用六边形这种灵活且稳定的结构排列所有TSV,合理的摆放冗余TSV的位置和...
倪天明姚瑶鲁麟代广珍韩名君高文根瞿成明朱世东
文献传递
共3页<123>
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