蔡伟
- 作品数：128 被引量：257H指数：10
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 大面积CdTe薄膜电池的制备
- 采用CBD法在透明导电薄膜上沉积CdS,在自主研发的设备中利用CSS法沉积CdTe薄膜,制备出了0.12m2的大面积CdTe薄膜.对薄膜进行了XRD分析,将薄膜分成小块,做成结构为Glass/SnO2:F/CdS/CdT...
- 蒋显辉白桂庭郑家贵黎兵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全
- 关键词：CDTE薄膜薄膜太阳电池光谱响应特性电池效率
- 文献传递
- CdTe薄膜太阳电池的硝酸-磷酸腐蚀及应用被引量：1
- 2007年
- 采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐蚀后,沉积了缓冲层材料和(或)金属背电极,研究了腐蚀后背接触的形成及碲对CdTe太阳电池的影响.结果表明,腐蚀后生成的碲有助于产生p+层,实现CdTe与金属背电极的欧姆接触.
- 李卫冯良桓武莉莉蔡亚平郑家贵蔡伟张静全黎兵雷智郝瑞英
- 关键词：背接触CDTE薄膜
- 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱被引量：9
- 2003年
- 用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜 .研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光 (PL)谱 ,并研究了CdTe表面和CdS/CdTe界面的PL谱的区别 ,根据薄膜的微结构对碲化镉在太阳电池中的应用进行了讨论 .
- 武莉莉冯良桓蔡伟张静全蔡亚平郑家贵朱居木陈诺夫
- 关键词：碲化镉薄膜微结构光致发光谱太阳电池
- CdS薄膜的制备及其性能被引量：15
- 2003年
- 采用化学池沉积 (CBD)法 ,在三种衬底 (玻片、ITO玻片、SnO2 玻片 )上沉积CdS薄膜 ,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射 (XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析 ,计算出CdS薄膜的能隙宽度和电导激活能 ,阐述了CBD法中CdS薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响 .结果表明 :不同衬底的成膜效果差异较大 ,其中以SnO2
- 黎兵冯良桓郑家贵蔡亚平蔡伟李卫武莉莉
- 关键词：CDS薄膜太阳电池
- 有碲化锌复合背接触层的碲化镉太阳电池研究
- 碲化镉太阳电池的流行结构为n-CdS/p-CdTe。采用ZnTe:Cu作背接触层,再在p-CdTe和ZnTe:Cu之间引入不掺杂的ZnTe作过渡层,以改进这种电池的结构特性和载流子收集。从实验上对三种结构的 CdTe太阳...
- 冯良桓蔡伟郑家贵蔡亚平黎兵张静全武莉莉朱居木邵烨周心明
- 关键词：碲化镉太阳电池
- 文献传递
- 近空间升华法制备大面积化合物半导体源
- 本发明“近空间升华法制备大面积化合物半导体源”属于半导体薄膜及其源材料的制备设备之技术领域。在化合物半导体薄膜与器件的制造中，常常使用近空间升华技术、溅射技术或真空蒸发技术。在这些技术中，如果要沉积大面积样品，都需要用同...
- 冯良桓黎兵蔡伟蔡亚萍
- 文献传递
- 碲化锌插入层对CdS/CdTe光伏器件性能的影响
- 从理论上分析了CdS/CdTe/Au器件的Roll over和Cross over现象。通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性,I-V特性,光谱响应的不同,肯定了插入层对改善背接触特性的作用;发现它还可以改善器...
- 李杨华蔡伟冯良桓郑家贵鄢强武莉莉张静全蔡亚平李卫黎兵夏庚培岳磊覃文治
- 关键词：背接触碲化镉太阳电池填充因子
- CdTe太阳电池组件的关键技术研究被引量：1
- 2007年
- 采用化学水浴法沉积CdTe太阳电池的n型窗口层CdS多晶薄膜,用近空间升华法制备吸收层CdTe薄膜.为了获得优质的背接触,对退火后的CdTe薄膜用湿化学法腐蚀一富Te层,然后沉积背接触层.结果表明:具有ZnTe/ZnTe:Cu复合层的太阳电池性能优于其他背接触结构的电池.最后,采用激光刻蚀和机械刻蚀相结合,制备了glass/SnO2:F/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni太阳电池小组件,其中一个CdTe太阳电池小组件的效率达到了7.03%(开路电压Voc=718.1mV,短路电流Isc=98.49mA,填充因子53.68%,面积54cm2)(由中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心测量).
- 李卫冯良桓张静全武莉莉蔡亚平郑家贵蔡伟黎兵雷智
- 关键词：CDTE太阳电池组件
- 反应液加入H2O2制备本征SnO2高阻薄膜
- 在反应液中加入H2O2,用超声喷雾热分解技术制备了SnO2高阻薄膜.结合XRD图谱,方块电阻测试,透光率测试以及Tauc曲线分析的结果,发现反应液中加入H2O2制备的SnO2薄膜,膜质较好,样品在(200)晶面有明显的择...
- 郝瑞英雷智郑家贵冯良桓蔡伟武莉莉张静全
- 关键词：H2O2SNO2
- 文献传递
- ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究被引量：4
- 2007年
- 用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe∶Cu多晶薄膜,测量了电导率温度曲线,发现不掺杂的ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加,呈常规的半导体材料特征;掺Cu的ZnTe薄膜在温度较低时,lnσ随温度升高而缓慢增加,随后缓慢降低,达到一极小值,当温度继续升高时又陡然增加,呈现异常现象。用XPS研究了N2气氛下退火前后表面状态,发现不掺Cu的ZnTe薄膜呈现富Te现象。掺Cu后Te氧化明显,以ZnTe形式存在的Te明显减少;ZnTe∶Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显,退火前,Zn主要以ZnTe形式存在,退火后Zn原子向表面扩散,使表面成分更加均匀,谱峰变宽;退火时,部分Cu原子进入晶格形成CuxTe相,引起载流子浓度变化,导致ZnTe∶Cu多晶薄膜的电导温度关系异常。
- 钟永强郑家贵冯良桓蔡伟蔡亚平张静全黎兵雷智李卫武莉莉
- 关键词：光电子能谱退火
