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薛春来

作品数：111 被引量：58H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 57篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 20篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 51篇电子电信
  • 13篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 25篇硅基
  • 22篇探测器
  • 16篇光电
  • 16篇锗
  • 15篇电极
  • 13篇波导
  • 13篇衬底
  • 12篇光电探测
  • 12篇光电探测器
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  • 10篇填埋层
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  • 8篇锗硅
  • 8篇硅材料
  • 8篇高频
  • 8篇SIGE
  • 7篇调制器
  • 7篇掺杂
  • 6篇激光
  • 6篇激光器

机构

  • 110篇中国科学院
  • 1篇华侨大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 110篇薛春来
  • 91篇成步文
  • 38篇王启明
  • 37篇刘智
  • 32篇李传波
  • 28篇左玉华
  • 25篇王启明
  • 24篇郑军
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  • 11篇苏少坚
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  • 10篇胡炜玄
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  • 6篇李亚明
  • 6篇张均营
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  • 5篇汪巍
  • 4篇张建国
  • 4篇薛海韵

传媒

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  • 3篇激光与光电子...
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  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇科学
  • 1篇光子学报
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  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
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  • 1篇中国集成电路
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇中国光学
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 7篇2024
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  • 7篇2021
  • 6篇2020
  • 1篇2019
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  • 5篇2015
  • 4篇2014
  • 7篇2013
  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 6篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 7篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
共 111 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离被引量：2
2012年
在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.在Si(001)衬底上直接生长了x分别为0.005,0.016,0.044,0.070和0.155的五个弛豫Ge_(1-x)Sn_x样品.通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge_(1-x)Sn_x合金的组分与晶格常数.实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离,弯曲系数b=0.211 A.
苏少坚成步文薛春来张东亮张广泽王启明
关键词：晶格常数
集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法
本发明公开了一种集成加热型锗波导热光调制器结构及其制备方法，其结构包括：衬底；本征锗薄膜，位于所述衬底上；掺杂锗薄膜层，位于本征锗薄膜上；其中，所述本征锗薄膜和掺杂锗薄膜层组成的外延层上刻蚀有：第一锗波导、光分束器、第二...
郑军牛超群刘智左玉华薛春来成步文
文献传递
一种波导耦合的硅基光电探测器及其制备方法
本发明提供一种波导耦合的硅基光电探测器，包括：SOI衬底(100)，包括至下而上的底部硅材料层(130)、二氧化硅填埋层(120)和顶层硅(110)，其中，顶层硅(110)上形成有波导层(111)，波导层(111)上形成...
刘智成步文郑军薛春来
文献传递
硅基横向注入激光器及其制备方法
一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗...
刘智成步文李传波薛春来王启明
具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法
一种具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器，包括：一SOI衬底；一二氧化硅层，其制作在SOI层的n型顶层硅上，该二氧化硅层刻蚀有二氧化硅光栅，该二氧化硅光栅为一圆形或矩形结构，在二氧化硅光栅的空隙处制作有本征锗层，在...
刘智成步文何超李传波薛春来王启明
文献传递
衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响被引量：3
2006年
使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析.通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟,分析了电感性能的变化.结果表明随着电导率的减小,电感的性能会增强,但改善的幅度会逐渐减小.厚的SiO2隔离层有利于减小衬底损耗,但是会给工艺增加难度.采用低k材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法.
薛春来姚飞成步文王启明
关键词：硅基螺旋电感品质因子
SiGe/Si射频功率HBT的研制
薛春来
关键词：射频功率SIGEHBT自对准
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法
本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法，包括以下步骤：步骤1：在一外延生长装置中置入硅衬底；步骤2：在硅衬底上生长锗缓冲层；步骤3：在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底，锗的原子组分大于0.5且小于1。
胡炜玄成步文薛春来张广泽王启明
溅射外延GeSn/GeSiSn多量子阱材料光电性能研究
郑军张永旺刘智左玉华李传波薛春来成步文王启明
光探测器及其制备方法
本发明公开了一种光探测器，包括：衬底；二氧化硅层，覆盖于衬底上；脊型波导结构，设置于二氧化硅层上，脊型波导结构包括：第一氮化硅层，设置于二氧化硅层上；石墨烯层，设置于第一氮化硅层上；绝缘层，设置于石墨烯层上，所述绝缘层上...
薛春来王啸宇丛慧徐驰万丰硕徐国印谢长江
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