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华庆恒

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中华人民共和国信息产业部更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇肖特基
  • 1篇电学
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇势垒
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇肖特基结
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇溅射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇LEC
  • 1篇LEC_GA...
  • 1篇MOS结构
  • 1篇测量技术
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇天津电子材料...
  • 2篇河北工学院
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 4篇华庆恒
  • 1篇汝琼娜
  • 1篇杨瑞霞
  • 1篇李光平
  • 1篇陈诺夫
  • 1篇张若愚
  • 1篇严如岳

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1992
  • 2篇1990
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析被引量：2
1992年
叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p^+-n结构的DLTS结果相同。
陈诺夫张若愚华庆恒
关键词：深能级MOS结构肖特基势垒
LEC GaAs中杂质和本征点缺陷分布对EL_2分布的影响
1990年
用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了[EL_2]分布不均匀性的机理。
杨瑞霞李光平华庆恒
关键词：LECGAAS
半导体材料测量技术的新进展
半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用,它是微电子技术、光电子技术、超导电子技术及真空电子技术的基础,只有在完美和新颖的材料基础上才会产生新的器件。半导体材料的生长正向着膜层的超薄化;结构区域选...
华庆恒汝琼娜
关键词：半导体材料
直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究
1990年
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.
华庆恒严如岳李岩松陈古川张菀刘咏梅杨媛琪
关键词：直流磁控溅射肖特基结
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