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张若愚

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：天津电子材料研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇势垒
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇MOS结构

机构

  • 1篇河北工学院
  • 1篇天津电子材料...

作者

  • 1篇陈诺夫
  • 1篇华庆恒
  • 1篇张若愚

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1992
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析被引量：2
1992年
叙述了一种采用MOS结构研究半导体深能级陷阱的深能级瞬态谱(DLTS)测试与分析方法。该方法简便易行,适用范围广。通过对n-Al_(0.2)Ga_(0.8)As中深能级的研究表明,MOS结构和p^+-n结构的DLTS结果相同。
陈诺夫张若愚华庆恒
关键词：深能级MOS结构肖特基势垒
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共1页<1>
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