熊永华
- 作品数：13 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- InAs单量子点物理和器件研究
- InAs单量子点物理和器件研究含有丰富的物理内涵和固态单光子发射器件应用的前景。其量子点物理研究方面：单量子点具有类原子特性，是典型的二能级体系，是研究单量子态物理理想的系统。从实验角度，对单量子态、纠缠态的研究有助于对...
- 孙宝权窦秀明常秀英熊永华倪海桥牛智川
- 关键词：量子力学纠缠态
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- 半导体量子点单光子发射器件
- 单光子发射器件是量子通信系统的核心器件,目前由于缺乏性能可靠的实用单光子发射器件,量子密码通信技术的实用化进展遇到较大的困难。由于半导体量子点具有类原子特性,是理想的二能级体系,因此采用半导体量子点实现单光子发射的研究日...
- 牛智川窦秀明熊永华王海莉黄社松倪海桥孙宝权
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- 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
- 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
- 王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
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- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
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- 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
- 一种砷化镓基1.5微米量子阱结构，该结构为多层结构，其特征在于，包括：一GaAs过渡层；一第一GaAs势垒层，该第一GaAs势垒层制作在GaAs过渡层上；一第一GaNAs势垒层，该第一GaNAs势垒层制作在第一GaAs势...
- 牛智川倪海桥韩勤张石勇吴东海赵欢杨晓红彭红玲周志强熊永华吴荣汉
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- 半导体InAs量子点单光子发射器件被引量：2
- 2010年
- 文章概述了量子点单光子源的研究现状,综述了微腔量子点耦合单光子发射器件制备中关键的低密度InAs量子点外延技术,单量子点单光子发射二阶关联函数HBT检测方法,分布布拉格反馈微腔结构的制备以及实现液氮温度下电驱动微腔量子点单光子发射器件等研究结果.
- 牛智川孙宝权窦秀明熊永华王海莉倪海桥李树深夏建白
- 关键词：单光子量子点微腔
- InAs量子点单光子发射器件研究
- 单光子源是单光子态物理研究的核心器件，也是实现量子比特、量子密码(quantumcryptography)和量子密钥传输(quantum key distribution)、量子计算以及量子网络(quantuminter...
- 熊永华
- 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
- 本发明公开了一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法，包括：将GaAs衬底放在样品托上，并引入进样室进行烘烤；烘烤完毕，将GaAs衬底引入制备室，并对GaAs衬底进行除气处理；将除过气的GaAs衬底引入生长室，对Ga...
- 牛智川倪海桥王海莉贺继方朱岩李密峰王鹏飞黄社松熊永华
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- 异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点
- GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基InGaAs异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双...
- 王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川
- 关键词：分子束外延INAS量子点光致发光谱
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- 液滴外延自组织GaAs纳米结构
- 2007年
- 介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点、量子单环、量子双环、耦合量子双环和中国古币形状等.本文对这些纳米结构的生长机制进行了讨论.
- 詹锋黄社松倪海桥赵欢熊永华周宏余牛智川
- 关键词：量子点
