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张金利

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇抛光
  • 1篇抛光表面
  • 1篇完整性
  • 1篇磷化铟
  • 1篇INP
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇胡炜杰
  • 1篇赵有文
  • 1篇董志远
  • 1篇王应利
  • 1篇孙文荣
  • 1篇杨俊
  • 1篇段满龙
  • 1篇刘刚
  • 1篇张金利

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
化学配比对InP和InAs单晶完整性及衬底表面制备的影响
通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。InP单晶的直径为2-4英寸、InAs单晶直径为2-...
赵有文孙文荣段满龙董志远胡炜杰杨俊张金利王应利刘刚
关键词：单晶材料抛光表面磷化铟
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