郁万成
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 6H-SiC单晶的激光刻蚀及光谱分析（英文）被引量：3
- 2016年
- 激光微加工是半导体精密加工的一个有效方法。对于碳化硅(SiC)单晶,使用紫外波段激光可以获得对入射能量最大的吸收效率。使用355nm全固态激光器对6H-SiC单晶进行刻蚀。同时将样品置于不同的介质下以探究最优加工条件。使用拉曼光谱表征激光刻蚀后的SiC表面。刻蚀后表面主要由无定形硅及纳米晶石墨组成,对于空气下刻蚀的SiC晶片,无定形硅主要分布于刻蚀坑的周围,刻蚀坑内较少。而在液体下刻蚀的样品,无定形硅的空间分布相反。通过分析残留在表面的物质,在另一角度研究了激光刻蚀的反应机理。对于液体辅助的激光加工,以往的研究主要关注液层的厚度及粘度,对液体还原性的研究很少。为确定液体还原性的影响,使用共聚焦激光扫描显微镜及能量色散谱检测了不同液体辅助加工样品的表面形貌及氧含量。结果表明,液体还原性在激光刻蚀过程中有着较大的影响,使用有着还原性的液体作为介质可以有效减少表面氧化并获得更规则的表面形貌。
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- 关键词：碳化硅激光刻蚀拉曼光谱
- SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征被引量：2
- 2015年
- 使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间。利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征。样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成。对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比。结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放。为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度。
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- 关键词：石墨烯碳化硅热解法
- SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展被引量：3
- 2016年
- 石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过Si C衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力。本文介绍了Si C热解法制备石墨烯的优势与劣势,说明了近自由态石墨烯制备的原因。综合阐述了目前制备近自由态石墨烯的常用方法,并对比了各种制备方法的特点。最后,概述了近自由态石墨烯的常用表征手段。
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- 关键词：石墨烯碳化硅
